9场效应晶体管、资料.pptVIP

不相同的宽度需要使用带有凹口的沟槽。 晶体管M1 和M2 共用一个源区，故漏区叉指占据着阵列的两端。 栅不能靠近凹槽拐角，因为此处有较大的氧化层台阶 3. CMOS 版图使用了合并器件从而节约了面积且减小了电容。 一个简单的二输入与非门（NAND）的版图。 PMOS阱共用，漏区共用，阱接触共用，NMOS共用 可以看出数字标准单元设计的规则： 电源线上方，地线下方，所有单元高度相同，便于首尾相连，可以使阱相互交叠，每个单元必须包括阱接触和衬底接触 5. MOS 晶体管的漏区电容限制了其开关速度和频率响应。为提高开关速度，必须减小漏区电容与晶体管宽度之比CD/w。环形晶体管将提供最小的CD/w 值，但会以增大源区电容为代价。 6. 环形晶体管有两种基本类型：一种是采用正方形的栅极，另一种是采用圆形的栅极。 NMOS 管栅极存在绝缘层，栅极电流为零。 CGS 和CGD 代表栅源电容和栅漏电容。大小与偏置有关 压控电流源I1 为沟道从漏极流向源极的电流。大小取决于栅源电压VGS 和栅漏电压VDS。 1. 迁移率 μn: 电子迁移率 μp: 空穴迁移率 若 μn≈ 1300 cm2/s·V μp≈500 cm2/s·V 则：