集成電路综合设计实验报告.docVIP

集 成 电 路 设 计 综 合 实 验 报 告 学院：电控学院 班级：微电子1001班 姓名：xxx 学号：xxxxxxxxxx 一、实验目的 1、培养从版图提取电路的能力 2、学习版图设计的方法和技巧 3、复习和巩固基本的数字单元电路设计 4、学习并掌握集成电路设计流程 二、实验内容 1、反向提取给定电路模块，要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。 ） （1）实验原理 标准CMOS工艺下的集成半导体器件主要有NMOS晶体管、PMOS晶体管、多晶硅电阻和多晶硅电容等。在P型衬底N阱CMOS工艺中，NMOS晶体管直接制作在衬底材料上，PMOS晶体管制作在N阱中。在集成电路版图的照片中，NMOS管阵列和PMOS管阵列一般分别制作在不同区域，PMOS管阵列制作在几个N阱内，NMOS管阵列制作在多个区域。这一点在照片中可以明显地区分开来。N阱和两种有源区存在较为明显的颜色差别。通过对N阱、P型有源区和N型有源区的颜色辨别，可以确认PMOS管阵列和NMOS管阵