2016简明无机合成第章.pptVIP

⑷ 增强反应沉积 等离子增强反应沉积是由于等离子体中正离子、电子和中性反应分子相互碰撞，可以大大降低沉积温度。硅烷和氨气反应通常约在850℃左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应情况下，只需要350℃左右就可以生成氮化硅。 通常要在300℃左右的底衬表面上发生的反应，采用激光束平行于衬底表面后（激光束与衬底表面的距离约1mm），结果处于室温的衬底表面上就会沉积出一层光亮的钨膜: Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 李明伟等采用等离子增强热丝CVD技术，以多晶镍为催化剂热解乙炔气得到了碳纳米管阵列。 生长在多晶镍膜上的碳纳米管阵列 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.2.4 装置 ①气源控制部件;②沉积反应室;③沉积温控部件;④真空排气和压强控制部件等部分组成。在等离子增强型或其它能源激活型CVD装置，还需要增加激励