第二章半导体中的杂质和缺陷摘要.ppt

第二章 半导体中的杂质和缺陷 1?? 来源 2 杂质晶格位置 3 杂质对电学性质的影响 4 杂质的能级特性 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质 半导体中的缺陷 1、来源: （1）沾污 可动离子—钠离子、钾离子、氢离子 化学试剂、玻璃器皿、高温器材、人体玷污 （2）人为控制掺杂 2 杂质晶格位置 （1）间隙式(interstitial) – 杂质原子位于晶格原子之间的间隙位置 金刚石型晶胞内原子占有体积34%，空隙66% 四面体间隙位置 六角形间隙位置 （2）替位式(substitutional)--杂质原子取代晶格原子而位于格点位置 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si 替位式杂质要求 原子大小相近 价电子壳层结构接近 Si：r=0.117nm B：r=0.089nm P：r=0.11nm 间隙式杂质Li、H —原子半径很小 Li：r=0.068nm B -1 （1）受主杂质：杂质电离时能够在半导体中接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心。 3 杂质对电学性质的影响 例如：Si 室温下 本征载流子浓度为1010/cm3 掺入B (NA=1016/cm3) Si的原子浓度为1022～1023/cm3 B原子的浓度/Si原子的浓度=10-6 受主向价带提供的载流子 1016～1017/cm3＞＞1010/cm3 百万分之一 百万倍 △EA EA Eg Ec Ev （2）施主杂质：杂质电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。 P +1 △ED + + ED Eg Ec Ev 概念汇总 施主、施主电离、n型半导体 ?施主--能够向半导体提供导带电子的杂质 ?施主电离--施主杂质上多余的一个价电子摆脱束缚,成为导带电子 ? n型半导体—主要依靠导带电子导电的半导体 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。所需要的能量称为杂质的电离能。 电子从价带直接向导带激发，成为导带的自由电子，这种激发称为本征激发，只有本征激发的半导体称为本征半导体。 受主,受主电离和p型半导体 ?受主--能接受电子而产生导电空穴的杂质. ?受主电离 –受主杂质上的空穴摆脱束缚,成为价带空穴 (即价带电子激发到受主能级上) ? p型半导体 --主要依靠价带空穴导电的半导体 掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为n型半导体。称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。 掺受主的半导体的价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴（空穴数电子数），对应的半导体称为p型半导体。空穴为多子，电子为少子。 n型和p型半导体都称为极性半导体 例：n型半导体（低温弱电离区） 1/T lnn0 -ΔED/(2k0) lnn0≈ 常数 －△ED/(2k0T) 可以通过实验， 计算出杂质电离能 （3）利用电学性质计算杂质电离能 问题：如果在半导体中掺入施主杂质后，又继续掺入等量受主杂质，则导电性会产生什么样的变化？ （4）杂质补偿：半导体中同时存在着施主和受主杂质，两种杂质之间相互抵消的作用。 Eg ED Ec Ev EA 杂质补偿应用：根据需要用扩散或离子注入方法来改变半导体某一区域的导电类型，以制成各种器件。 p型半导体 n型半导体 （5）等电子杂质： 杂质原子与半导体原子具有同数量价电子。 电负性相差较大 俘获电子 负电中心 俘获空穴 正电中心 等电子杂质 带电中心 俘获某种载流子 束缚激子 ★间接带隙半导体发光器件 俘获另一种相反 符号的载流子 4 杂质的能级特性 （1）浅能级：如果受主能级很接近价带顶，施主能级很接近导带底，这些杂质能级称为浅能级，将产生浅能级的杂质称为浅能级杂质。 将Ⅲ、Ⅴ族杂质掺入Ⅳ族半导体如Si、Ge中，则为浅能级杂质。 Eg △EA EA Ev Eg △ED + + ED Ec Ev Ec 浅能级杂质电离能的计算 带电中心+一个束缚于其上的载流子 施主杂质电离能: mn* 电导有效质量 “类氢原子” P +1 氢原子基态电子电离能: 半导体晶体中 介电常数为 电子质量 和实际相比，类氢模型只是粗糙的近似 Si 、 Ge中施主杂质电离能 0.025eV 、 0.006eV 晶体 Si Ge 杂质 P As Sb 0.044 0.0126 0.049 0.012