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                固溶体半导体材料 固溶体的概念  SiGe固溶体  应用 固溶体 凡在固体条件下,一种组分(溶剂)内“溶解”了其它组分(溶质)而形成的单一、均匀的晶态固体称为固溶体。  固溶体半导体材料是某些元素半导体或者化合物半导体相互溶解而形成的一种具有半导体性质的固态溶液材料,又称为混晶半导体或者合金半导体。  固溶体的基本性质 半导体的重要参数,如晶格常数和带隙等随组分变化而发生连续变化。  因而可以通过对其组分的控制来调节材料的基本性质  采用固溶体原理来制备或开发各种新的材料,满足科技的发展对材料性能提出的特殊性要求   SiGe 在微电子领域Si几乎有完全取代Ge的趋势  Ge固有优势:载流子的迁移率比硅高  载流子迁移率是决定半导体器件性能的一个重要参数 SiGe固溶体的应用 新型硅基太阳能电池  热电材料  新型硅基太阳能电池 太阳能电池所利用的太阳光光谱,它在可见光部分的能量不到50%。  要想提高电池的效率,把其光谱响应延伸到1.1 eV以下是非常重要的,因为这包括了太阳光90%以上的能量。  SiGe 构成的薄膜合金材料通过控制Ge 含量能调制材料的带隙,0.67~1.1 eV,从而可以大大扩展对红外谱域太阳能光谱的吸收。  因此,SiGe 材料在太阳电池中的应用研究受到了重视,尤其是非晶SiGe材料在a-Si/ a-SiGe 叠层太阳电池上的应用已经非常成熟。 热电材料 SiGe合金具有较大的a值,x=0.15时,达到极大值。  实际常用Si含量高的合金来得到较高的优值,Si含量高有以下好处:     降低了晶格热导率;     增加了掺杂原子的固溶度;     使SiGe合金有较大的禁带宽度和较高的熔点,适合于高温下工作;     比重小,抗氧化性好,适应于空间应用;     同时降低了造价。 SiGe合金是目前较为成熟的一种高温热电材料,适用于制造由放射线同位素供热的温差发电器,并已得到实际应用。  1977年旅行者号太空探测器首次采用SiGe合金作为温差发电材料;  在此后美国NASA的空间计划中,SiGe差不多完全取代PbTe材料。 《半导体材料》教材 教材:     《半导体材料》,邓志杰等编,化学工业出版社  参考书目:    1. 《半导体材料》杨树人 等编,科学出版社     2. 《半导体物理学》刘思科等编,国防工业出版社  H的作用 H在硅中处于间隙位置,可以正负离子两种形态出现;  H在硅中形成H-O复合体  H能促进氧的扩散和热施主的形成;  H会钝化杂质和缺陷的电活性;  H能钝化晶体的表面或界面,提高器件的性能 过渡金属的危害 在硅中形成深能级中心或沉淀而影响器件的电学性能;  减少电子扩散长度从而降低寿命;  形成金属复合体,影响器件和材料的性能 硅中的缺陷 原生缺陷  二次缺陷  外延材料中的缺陷 硅的用途 高纯的单晶硅是重要的半导体材料;  金属陶瓷、宇宙航行的重要材料;  光导纤维通信,最新的现代通信手段;  性能优异的硅有机化合物等 1)重要的半导体材料 硅可用来制造集成电路、晶体管等半导体器件 太阳能电池 2)高温材料 金属陶瓷的重要材料:     将陶瓷和金属混合烧结,制成金属陶瓷复合材料,它耐高温,富韧性,可以切割,既继承了金属和陶瓷的各自的优点,又弥补了两者的先天缺陷。 宇宙航行的重要材料      耐高温隔热层,航天飞机能抵挡住高速穿行稠密大气时磨擦产生的高温,全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。  3)光导纤维通信 用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维,激光在玻璃纤维的通路里,无数次的全反射向前传输,代替了笨重的电缆。 光纤通信容量高,一根头发丝那么细的玻璃纤维,可以同时传输256路电话,它还不受电、磁干扰,不怕窃听,具有高度的保密性。  锗 1871年,俄国科学家门捷列夫寓言,元素周期表Si和Sn之间存在着一个“类硅”的元素。  1886年,德国科学家温克莱尔首先从银硫锗矿中分离出Ge,并将其命名为Ge(Germanium)以纪念他的祖国。  Ge是半导体研究的早期样板材料,在20世纪50年代,Ge是主要的半导体电子材料  目前,Ge电子器件不到总量的10%,主要转向红外光学等方面。 锗的分布 锗在地壳中含量约为2×10-4%,但分布极为分散,常归于稀有元素;  1. 在煤和烟灰中; 2. 与金属硫化物共生; 3. 锗矿石 锗的制取 锗来源稀少,通常先将各种锗废料氯化成四氯化锗;  制取的四氯化锗经过精馏,萃取等提纯  水解生成二氧化锗;用氢气还原成高纯锗  进一步区熔提纯成高纯锗 化合物半导体材料 GaAs能带结构 直接带隙结构  双能谷  轻空穴和重空穴  带隙为1.42 eV GaAs物理性质 GaAs晶体呈暗灰色,有金属光泽  分子量为144.64  原子密
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