半导体物理与器件11——第三章.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 有了有效质量，我们就可以在一些常规的情况下用牛顿力学来处理晶体中的电子行为。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 理解能带的关键：以波动的形式描述固体中的电子。 能带理论是近似理论，用以描述固体中的电子状态及其运动规律。 * * * * * * * * * * 硅原子靠近形成晶体时，外层的s轨道和p轨道相互作用产生sp3杂化，使得最终形成的 * * * 在布里渊区边界上发生简并微扰，非零级能量占主要部分并互相排斥，E～k曲线不连续而形成禁带。 能量越大，分裂越厉害。 k以2pi/a变化时，jkx= * * * * * * 在一定温度 T 下，载流子的产生过程与复合过程之间处于动态 的平衡，这种状态就叫热平衡状态。 允许的量子态按能量如何分布（单位能量间隔内有多少量子态） 电子在允许的量子态中如何分布（在特定的能量位置，状态被占据的几率） 在能量间隔dE内的电子数为： 整个导带内的电子数： 第三章 固体量子理论初步 * 状态密度+状态分布函数?载流子密度 第三章 固体量子理论初步 * 当温度不同时，每层安排的座位数g(T)为一定值。当温度不同时，每层的人数分布为ff(T)。 则当某一日温度为T时，我们知道总人数为: 计算过程 k空间量子态密度 k空间单位能量间隔内的量子态数 单位体积、单位能量间隔内的量子态数（状态密度） 第三章 固体量子理论初步 * k空间量子态密度 量子化效应导致k分立 一维晶体模型，N+1个原子组成，晶格常数为 a，晶体的长为L，起点在x处 在 x 和 x+L 处，电子的波函数分别为φ(x) 和φ(x+L) φ(x)=φ(x+L) 第三章 固体量子理论初步 * x x+L a L=a×N 第三章 固体量子理论初步 * 该一维晶体k的可能取值为： 电子的一个允许能量状态的代表点 在一维空间中k状态间隔为2π/L 推广到三维： 边长为L=N*a，体积为L3=V。 第三章 固体量子理论初步 * K空间中的状态分布 kx ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? kz ky 电子的一 个允许能 量状态的 代表点 每一个k状态所占据的k空间体积为： 第三章 固体量子理论初步 * 单位 k 空间允许的状态数为： 单位k空间体积内所含的允许状态数等于晶体体积 V/(2?)3 －－k 空间的量子态（状态）密度 考虑自旋，k空间的电子态密度为：2V/(2?)3 任意k空间体积 中所包含的电子态数为： 通过能量E和k的关系，在k空间中求出单位能量间隔内的量子态数 导带底的E-k关系： 球形等能面的半径 k 第三章 固体量子理论初步 * 球所占的 k 空间的体积为： 设这个球内所包含的电子态数为Z(E)： 能量由 E 增加到 E+dE，k 空间体积增加： 第三章 固体量子理论初步 * 电子态数变化dZ(E)： 因为有： 第三章 固体量子理论初步 * 代入，得到： 因为有 第三章 固体量子理论初步 * 最后，这是体积V中的状态密度，除以V，得到单位体积内的状态密度函数： 根据空穴的E-k关系可求得空穴的状态密度： 状态密度的特点： 状态密度同时是体积密度和能量密度 状态密度和能量和有效质量有关 实际半导体中，由于有效质量可能有方向性，因而等能面不为球面，则采用平均的有效质量来计算，称为状态密度有效质量 对于价带，可能是复合能带，为轻重空穴的状态密度之和，因而采用价带顶空穴状态密度的有效质量 第三章 固体量子理论初步 * 当EVEEC时，为禁带（带隙），在此能量区间g(E)=0导带中电子的态密度分布函数gC(E)和价带中空穴的态密度分布函数gV(E)随着能量E的变化关系如右图所示，当电子的态密度有效质量与空穴的态密度有效质量相等时，二者则关于禁带中心线相对称。 第三章 固体量子理论初步 * §3.5 统计力学（分布函数） 粒子按能量不同进行的分布，或者说粒子占据不同能量量子态的几率。 粒子按能量的分布 麦克斯韦－玻尔兹曼统计分布函数； 不同微观粒子之间相互可以区分，每个能态上所允许存在的粒子数量不受限制。主要适用于经典粒子的能量分布，例如在一个低压密闭容器中的气体分子就遵循麦克斯韦－玻尔兹曼统计分布规律。 玻色－爱因斯坦统计分