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半导体物理基础(Elementary Semiconductor Physics) 2 . 半导体的晶体结构 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.3 Carrier concentration and EF Calculations 结论:本征半导体的费米能级Ei基本位于禁带中央. 本征半导体的费米能级EF一般用Ei表示 Intrinsic carrier concentration ni ：(本征载流子浓度)  结论:本征载流子浓度ni随温度升高而增加. lnni~1/T基 本是直线关系. n0=p0 =ni 2. extrinsic semiconductor (非本征/杂质半导体) 定性分析： E-k 关系图（GaAs） GaAs: Eg=1.519 eV 需要掌握的知识要点： 1.什么是本征半导体和本征激发？ 2.施主杂质和受主杂质。 3.画出（a）本征半导体、（b）n型半导体、（c）p型半导体的能带图，标出费米能级、导带底、价带顶、施主能级和受主能级的位置。 4.掺杂对半导体导电类型及导电能力如何影响的? 5.金原子的带电状态与浅能级杂质的关系？ 6.何谓浅能级杂质?深能级杂质?各自的作用 7.何谓杂质补偿？有何实际应用？ 本征半导体: 是指一块没有杂质和缺陷的半导体. 本征激发: T0K时,电子从价带激发到导带,同时价 带中产生空穴. 1. Intrinsic Semiconductor（本征半导体） n0=p0 =ni ni ------本征载流子浓度 n0 p0 =ni 2 能带图~价键图 *从si的共价键平面图看: P15:1S22S22P63S23P3 Doped /extrinsic Semiconductor（掺杂/非本征半导体） (1) Donor（施主杂质 ） n型半导体 Ⅳ族元素硅、锗中掺Ⅴ族元素,如P: Si14:1S22S22P63S23P2 杂质原子的束缚比共价键的束缚弱得多,只要很少的能量就可以使它挣脱束缚,成为导带中的自由粒子.这个过程称杂质电离. 磷杂质在硅、锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成不可移动正电中心。这种杂质称施主杂质 。掺施主杂质后，导带中的导电电子增多，增强了半导体的导电能力。 主要依靠导带电子导电的半导体称n型半导体。 价键图~能带图 电离能的估计 氢原子能量 氢原子的电离能 类氢原子的电离能 （2） Acceptor (受主杂质) p型半导体 Ⅳ族元素硅、锗中掺Ⅲ族元素,如硼（B）: *从si的共价键平面图看: B5:1S22S22P1 硼杂质在硅、锗中电离时，能够接受电子而产生导电空穴并形成不可移动负电中心。这种杂质称受主杂质 。 纯净半导体中掺入受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了半导体的导电能力。主要依靠价带空穴导电的半导体称p型半导体。 价键图~能带图 受主杂质的电离能: （3）杂质的补偿作用 半导体中同时存在施主杂质和受主杂质 ND NA ND NA 半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，它们之间有相互抵消的作用——杂质补偿作用。 *当ND 》NA时，n= ND- NA≈ ND 半导体是n型 *当ND《NA时， p= NA- ND≈ NA 半导体是p型 *当ND ≈ NA时， 杂质的高度补偿 ND——施主杂质浓度 NA——受主杂质浓度 n——导带电子浓度 p——价带空穴浓度 （4）深能级杂质 0.54eV + 0.35eV Si晶体中的Au能级 Ec Ev EA ED 第三章 半导体中载流子的统计分布  （Carrier Statistics） 需要掌握的知识要点： 1.写出热平衡时, 的表达式，n0、p0用ni表示的表达式。 2.状态密度,导带的有效状态密度Nc,价带的有效状态密度Nv概念. 3. 的物理意义. 4 n型,p 型（包括同时含有施主和受主杂质）半导体的电中性方程。 5.解释载流子浓度随温度的变化关系。 6.了解温度、杂质浓度对费米能级位置的影响。 7.何谓非简并半导体、简并半导体？简并化条件？ 8.定性说明简并半导体的能带结构会发生何变化？ 第三章 半导体中载流子的统计分布