第五章薄膜的电学性能-金.ppt

第五章 薄膜的电学性能 第五章  薄膜的电学性能 前 言 金属膜是在电子学领域中应用最为广泛的一种薄膜。例如，半导体的电路、各种集成电路中的导线和电极、电阻器、电容器、超导器件和光通信用元器件等。本章主要介绍金属薄膜的电性能及其特性，并以自由电子理论为基础对各种电学性能进行解释。 材料的电学性能内容是很广泛的，对于金属薄膜来说，主要测量了某些与导体传输现象有关的电学性能，即 1、电阻率ρ或者是电导率σ； 2、磁阻ρ′H； 3、霍尔系数RH； 4、热电能S。 薄膜的电学性能之所以具有特殊性，主要是由两个原因所引起： （一）是结构缺陷效应，即薄膜在形成时它是由气相经过急剧的相变形成固相的，在这一特殊的过程中引起了结构缺陷（这里所说的结构缺陷除了通常的晶格缺陷、晶格畸变、杂质等外，还包括极薄的薄膜所特有的岛状结构）。 （二）是尺寸效应，这是由于薄膜的厚度很薄而产生的，这一尺寸效应包括经典的电子表面散射效应和量子尺寸效应两种。 在测量薄膜的电学性能时，最常用的参变量有膜厚d，温度t，电场强度E，薄膜的形变ε等。图4－1所示的是一个在测量薄膜电学性能时电极配置的例子。 最基本的测量参数仍然是电阻率ρ或者是由电导率σ，不少的研究人员已经把lnρ与d、ρ与1/d、lnρ与1/T、lnρ与 、ρ与ε等的关系画成了曲线，并据此进行了导电机理的研究。目前正在进一步深入地研究ρH、RH、S与d、T等的关系。最近有人测量了交流频率f、磁场H等对薄膜电学性能的影响，另外还测量了由薄膜产生的电流噪声等。测量结果表明，连续薄膜和不连续薄膜在结构上是完全不同的。  §4.2 连续薄膜连续薄膜的一般特征 连续薄膜比不连续的膜厚，用电子显微镜观察可以明确判断出它是连续成长了的膜。实际上涉及的是岛与岛之间物质的性质或者说是空间的性质，而以下要讨论的则是薄膜本身物质和形状的影响。 讨论的薄膜虽然是连续的，但各种性能依然受膜厚的影响，这是它的最大特征。在多数情况下，温度越低受厚度影响的效果也就越显著。 Chopra等人对Au蒸发膜和溅射膜所测得的电阻率与膜厚之间的关系曲线如图4-8所示。膜厚只要超过500?，不管什么膜都可以说是连续的了。但是，从图上可以看出，电阻率随着膜厚的增加在逐渐减少，而且，在数值上比块状材料要大得多。除此之外，这两者之间的关系还因薄膜制作条件的不同而不同。 图4-9是测量Cu膜的霍尔系数与膜厚之间关系的一个例子。关于霍尔系数随着膜厚减少而增加的报告已有很多，但是在超高真空中蒸发的薄膜其膜厚的影响就显著地减少。另外，还有不少报告指出，霍尔系数在某一厚度以下时，将现出现一个很小的极大值然后才急剧减少。这一现象的原因目前还不是分清楚。 图4-10是Cu蒸发膜在273K温度下的热电势与膜厚的倒数之间的关系曲线。由图可知，薄膜与块状材料不同，它明显的受到膜厚的影响。 作为一个特殊的例子，现在来看一下Bi蒸发膜的量子尺寸效应。Bi电子的德布罗意波波长很长，约为500?，所以是典型的半金属。Ogrin等人求得的Bi膜电阻率与膜厚的关系如图4-11所示。虽然在数据的可靠性上有些问题，但是，这些数据呈现出振动现象。 在测量薄膜的电性能时，经常可以发现性能不稳定，即由于时间的影响或温度的影响使性能发生了不可逆变化。例如，电阻率随着时间的增加而减少，在最初的加热循环中电阻率因加热而减少。这些变化情况示于图4-12中。这种不可逆变化 连续薄膜中的电子传输的Sondheimer理论 在具有连续结构的金属薄膜中，为什么很多电性能如电导率等与块状材料不相同呢？它们又为什么与膜厚有关呢？这些是下面我们要讨论的问题。 原因之一是薄膜内部的缺陷浓度大大地超过块状材料。这的确是其原因之一，可是，如果把电导率等随膜厚的变化全部归因于晶格缺陷，那就应该能够说明晶格缺陷浓度随膜厚的变化情况，而这一点在目前是不可能的。 薄膜的表面是原子周期性排列中断的地方，因此，在表面发生电子散射也就是表面散射这是可以想象的。不少作者就试图用表面散射效应来说明薄膜电性能随膜厚的变化。在讨论表面散射时，首先不考虑电子在此之前与表面之间发生作用，然后把表面散射的条件进一步简化从而引入镜面反射系数的概念。Sondheimer理论为中心，介绍一下连续薄膜中电子传输现象的处理过程。 自由电子论和波耳兹曼的传输方程 Sondheimer理论基本上是以自由电子论为前提的。即无限大物体的电导率或电阻率如果用 或 表示时，那么可以使用下述公式：