锗的带隙宽度测量实验综述.docVIP

锗 的 带 隙 宽 度 测 量 班级：物理实验班21 姓名：黄忠政 学号：2120909006 一、实验目的? 1.?当通过纯的锗晶体的电流是恒定时，晶体两端的电压降是温度的函数，以此原理设定实验来计算锗晶体电导率s与温度的关系。 2.确定锗的带隙宽度Eg?。 二、实验原理? 根据欧姆定律，电流密度和电场?E?的关系j?=σE? 系数σ被称为电导率，由于此参数强烈依赖于材料本身性质，因此可以依其将材料按照导电性分为导体、半导体和绝缘体。例如，对半导体固体而言，在低温下不产生电流，而在较高温度下可测得其电导率。其电导率由温度决定的原因是半导体具有特定的电子能带结构。对于这种价电子带，全部或部分填充在基态的最高带，导电带和下面 未被填充的带之间被带隙?Eg?所分割。两个带之间是不被电子填充的，未掺杂的，称为禁区。而在高温下，越来越多的电子从价电子带被激发到导电带，它们会在价电子带留下像正电荷一样移动的“空穴”，因此可以像电子一样形成电流。 这种由价电子带的电子激发到导电带而形成的导电性称为内传导。由于热平衡状态下，价电子带“空穴”的数量与导电带中电子的数量相等，内传导情形下的电流密度可以写作下述式子 其中：电子或空穴的密度。 电子的平均漂移速度Vn和穴的平均漂移速度Vp和电场强度E成正比,有: 和 其中和取正值。 对比可以导出： 因此有： 以上两式是导电带和价电子带中的有效状态密度，和也取决于温度，在低温下，近似为正比于，而在高温下较为精准。?由指数函数式，电导率可以近似表示为： 或者 在电流恒定的情况下： b：晶体的宽度，c：晶体的厚度? 电压降： a:晶体的长度 即可测得未掺杂的锗晶体的电导率： 三、实验器材? 未掺杂的锗晶体，霍尔效应基础设备，CASSY传感器，CASSY?Lab?软件，可控电流发生器，电源，支架，导线若干。 实验数据 以上测了3组数据，取A平均值A=-1865，由公式： 得到Eg=0.74eV。 实验结果与分析 实验测得的Eg=0.74eV,文献引用值Eg(0K)=0.74eV,Eg(300k)=0.67eV。 误差分析：1.实验材料锗长期暴露在空气中，导致部分锗被氧化，使得实验材料不纯，造成误差。 2.实验仪器的精度有限，造成实验误差。 实验建议：提供更加纯的锗做实验，提高实验器材的精度。