半导体物理载流子统计分布.pptxVIP

第三章 半导体中载流子的统计分布 （Carrier Statistics）载流子浓度=(∫状态密度g(E) ×分布函数f(E)dE)/V状态密度g(E)—单位能量间隔中的量子态数（能级数）分布函数f(E)—能量为E的量子态被一个粒子占据的几率.1. Electorn concentration (导带中的电子浓度)*状态密度(Density of states)：金属自由电子g(E)半导体导带电子gc(E)对于Si, Ge其中:导带底电子状态密度有效质量s: the number of ellipsoidal surfaces lying within the first BrillouinSi:s=6Ge:s=(1/2)8=4*分布函数f(E)半导体导带中的电子按能量的分布服从费米统计分布。fermi function——玻尔兹曼分布非简并半导体（nondegenerated semiconductor）简并半导体（degenerated semiconductor）*导带电子浓度n令 Etop→∞则χtop →∞ 电子占据量子态Ec的几率导带的有效状态密度Nc2. Hole concentration (价带中的空穴浓度)*状态密度：*分布函数fV(E）fV(E）表示空穴占据能态E的几率，即能态E不被电子占据的几率。*价带空穴浓度p0价带顶部EV态被空穴占据的几率价带的有效状