第6章化学转化膜.pptVIP

常温发黑溶液主要成分是CuSO4，二氧化硒SeO2 ，各种催化剂，缓冲剂，络合剂与辅助材料。 发黑机理： ①SeO2溶于水中生成亚硒酸(H2SeO3)： ????? SeO2 + H2O→ H2SeO3 ②钢铁浸入发黑液后，溶液中的Cu离子与Fe发生置换反应，铜覆盖在钢铁表面，并伴随Fe的溶解： ???? ?CuSO4 + Fe→ FeSO4+Cu ③金属Cu与H2SeO3发生氧化还原反应，生成黑色的硒化铜膜，同时伴随着副反应发生，生成CuSeO3的挂灰成分： ?????3Cu+ 3H2SeO3→ CuSe + 2CuSeO3 + 3H2O 磷化处理是在含锰、铁、锌的磷酸二氢盐与磷酸组成的溶液中进行的。 这些磷酸二氢盐可用M(H2PO4)2表示。 处理过程中，生成含锰、铁、锌的一价、二价和三价磷酸盐。 一价磷酸盐可溶，二价磷酸盐稍溶，三价磷酸盐不溶解。 三价磷酸盐在金属表面沉积即形成磷化膜。 5、影响氧化膜质量的因素 ① 硫酸浓度：通常采用15％～20％。浓度升高，膜的溶解速度加大，膜的生长速度降低，膜的孔隙率高，吸附力强，富有弹性，染色性好（易于染深色），但硬度，耐磨性略差；而降低硫酸浓度，则氧化膜生长速度加快，膜的孔隙少，硬度高，耐磨性好。 ③ 电流密度：在一定限度内，电流密度升高，膜生长速度升高，氧化时间缩短，生成膜的孔隙多，易于着色，且硬度和耐磨性升高；电流密度过高，则会因焦耳热的影响，使零件表面过热和局部溶液温度升高，膜的溶解速度升高，且有烧毁零件的可能；电流密度过低，则膜生长速度缓慢，但生成的膜较致密，硬度和耐磨性降低。 ⑤ 搅拌和移动：可促使电解液对流，强化冷却效果，保证溶液温度的均匀性，不会造成因金属局部升温而导致氧化膜的质量下降。 ⑦ 铝合金成分：一般来说,铝金属中的其它元素使膜的质量下降，且得到的氧化膜没有纯铝上得到的厚,硬度也低，不同成分的铝合金,在进行阳极氧化处理时要注意不能同槽进行。 6.4 微弧氧化 定义：微弧氧化(Microarc oxidation，MAO)又称微等离子体氧化，是通过电解液与相应电参数的组合，在铝、镁、钛及其合金表面依靠弧光放电产生的瞬时高温高压作用，生长出以基体金属氧化物为主的陶瓷膜层。 1、微弧氧化技术的原理 1）Al、Mg、Ti等阀金属样品放入电解液中，通电后金属表面立即生成很薄一层完整的氧化物绝缘膜。 2）当样品上的电压超过某一临界值时，这层绝缘膜上某些薄弱环节被击穿，发生微弧放电现象。 3）因为击穿总是在氧化膜相对薄弱部位发生，因此最终生成的氧化膜是均匀的。 4）在以铝、钛、镁金属及其合金表面形成优质的强化陶瓷膜。达到表面强化的目的。 2、微弧氧化技术的突出特点 （1）大幅度地提高了材料的表面硬度，显微硬度在1000至2000HV，最高可达3000HV，可与硬质合金相媲美，大大超过热处理后的高碳钢、高合金钢和高速工具钢的硬度； （2）良好的耐磨性能； （3）良好的耐热性及抗腐蚀性。从根本上克服了铝、镁、钛合金材料在应用中的缺点，因此该技术有广阔的应用前景； （4）有良好的绝缘性能，绝缘电阻可达100MΩ； （5）溶液为环保型，符合环保排放要求； （6）工艺稳定可靠，设备简单； （7）反应在常温下进行，操作方便，易于掌握； （8）基体原位生长陶瓷膜，结合牢固，陶瓷膜致密均匀。 4、微弧氧化电解液 　　 微弧氧化主要针对铝、镁、钛等材质。铝钛可选用同一种液体。 1. 氧化液密度：不同液体有不同比重，大体比重在1.0-1.1不等。 2. 氧化液工作电压：400V—750V。 3. 电流密度：液体不同，工件电流密度不同。大体约：每平方分米0.01—0.1安。但也有大电流情况出现，且超过每平方分米8安。 4. 微弧氧化时间：10—60分钟，时间越长，膜层越致密，但粗糙度也增加。 5. 液体酸碱度：碱性，PH通常为8—13 6. 微弧氧化工艺流程：去油 ---- 水洗 ---- 微弧氧化 ---- 纯水洗 ---- 封闭 5、微弧氧化影响因素 1. 工件材质及表面状态 　　（1）微弧氧化对铝材要求不高，不管是含铜或是含硅的难以阳极氧化的铝合金，均可用于微弧氧化，且能得到理想膜层。 　　（2）表面状态一般不需要经过抛光处理，对于粗糙的表面，经过微弧氧化，可修复得平整光滑；对于光滑的表面，则会增加粗糙度。 3. 温度对微弧氧化的影响 　　微弧氧化与阳极氧化不同，所需温度范围较宽。一般为10-90℃。温度高，成膜快，但粗糙度也增加。且温度高，会形成水气。一般建议在20-60℃。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。 6、微弧氧化和阳极氧化