第5章光生伏特器件52节03223.pptVIP

5.2 其他光电二极管 5.2.1 PIN型光电二极管 PIN光电二极管在反向电压作用下，耗尽区扩展到整个半 导体，光生载流子只产生漂移电流。 PIN光电二极管的 时间响应只取决于τdr 与τRC ，在10-9s左右。 5.2.2 雪崩光电二极管 雪崩光电二极管提高光电二极管的灵敏度，使光电二极 管的光电灵敏度提高到需要的程度。 1.结构 2.工作原理——雪崩效应 在PN结上加上相当高的反向偏压，使结区产生很强的电 场。当光照射在PN结上时，激发出光生载流子，光生载流子 在强电场的作用下进行高速定向运动，具有很高动能的光生 电子或空穴与晶格原子碰撞，使晶格原子电离产生二次电子 --空穴对；二次电子和空穴对在电场的作用下获得足够的动 能，又使晶格原子电离产生新的电子--空穴对，此过程就像 “雪崩”似地继续下去。 电离所产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子 数。 3.特性参数 ⑴ 倍增系数（雪崩增益） 雪崩光电二极管的电流增益用倍增系数M 表示，定义为 （5-10）