半导体基础理论.pptVIP

半导体基础理论 目录 固体能带理论 半导体材料硅的晶体结构 半导体特性 载流子的复合与寿命 载流子的传输 P-N结二极管性质 硅材料的物理化学特性 固体的能带理论 ——能带的形成 晶体中，各个原子互相靠的很近，不同原子的内、外壳层都有一定的重叠，电子不在局限在某一个原子中，可以由一个原子转移到相邻的原子上，导致电子共有化运动，结果使孤立原子的单一能级分裂成能带。 根据电子先填充低能级的原理，下面的能带先填满电子，这个带被称为价带或满带，上面的未被电子填满的能带或空能带称为导带，中间以禁带相隔。 固体的能带理论 ——能带的形成 电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移.当电子获得足够能量的时候将越过禁带发生跃迁。 固体的能带理论 ——导体、绝缘体、半导体 固体的能带理论 ——导体、绝缘体、半导体 导体：能带交叠，即使极小的外加能量就会引起导电。 绝缘体：能带间距很大，不可能导电。 半导体：禁带比绝缘体窄很多，部分电子因热运动从价带跳到导带，使导带中有少量电子，价带中有少量空穴，从而有一定的导电能力。 固体的能带理论 ——导体、绝缘体、半导体 物体的导电能力，一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大，说明这种材料的导电能力越弱。 半导体材料硅的晶体结构 硅太阳电池生产中常用的硅（Si），磷（P），硼（B）元素的原子结构模型如下： 半导体材料硅的晶体结构 原子最外层的电子称为价电子，有几个价电子就称它为几族元素。 若原子失去一个电子，称这个原子为正离子，若原子得到一个电子，则成为一个带负电的负离子。原子变成离子的过程称为电离。 半导体材料硅的晶体结构 晶体结构 固体可分为晶体和非晶体两大类。原子无规则排列所组成的物质为非晶体。而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。晶体有确定的熔点，而非晶体没有确定熔点，加热时在某一温度范围内逐渐软化，如玻璃。 半导体材料硅的晶体结构 单晶和多晶的区别 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。 半导体材料硅的晶体结构 硅晶体内的共价键 硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连接在一起。硅原子的4个价电子和它相邻的4个原子组成4对共有电子对。这种共有电子对就称为“共价键”。 半导体材料硅的晶体结构 硅晶体的金刚石结构 晶体对称的，有规则的排列叫做晶体格子，简称晶格，最小的晶格叫晶胞。以下是较重要的几个晶胞： 半导体材料硅的晶体结构 金刚石结构是一种复式格子，它是两个面心立方晶格沿对角线方向上移1/4互相套构而成。 半导体材料硅的晶体结构 晶面和晶向 晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面上，这些平面就称为晶面。每个晶面的垂直方向称为晶向。 半导体的特性 ——纯度 半导体特性，是建立在半导体材料的纯度很高的基础上的。半导体的纯度常用几个“9”来表示。比如硅材料的纯度达到6个“9”，就是说硅的纯度达到99.9999%，其余0.0001%（即10-6 ）为杂质总含量。半导体材料中的杂质含量，通常还以“PPb” 与“PPm”来表示。一个PPb就是十亿分之一（10-9 ），一个“PPm”就是百万分之一（10-6 ） 半导体的特性 ——导电特性 导电能力随温度灵敏变化 导体，绝缘体的电阻率随温度变化很小，导体温度每升高1度，电阻率大约升高0.4%。而半导体则不一样，温度每升高或降低1度，其电阻就变化百分之几，甚至几十，当温度变化几十度时，电阻变化几十，几万倍，而温度为绝对零度（-273℃）时，则成为绝缘体。 半导体的特性 ——导电特性 导电能力随光照显著改变 当光线照射到某些半导体上时，它们的导电能力就会变得很强，没有光线时，它的导电能力又会变得很弱。 杂质的显著影响 在纯净的半导体材料中，适当掺入微量杂质，导电能力会有上百万倍的增加。这是最特殊的性能。 其他特性 温差电效应，霍尔效应，发光效应，光伏效应，激光性能等。 半导体的特性 ——导电过程描述 纯净的半导体，在不受外界作用时，导电能力很差。而在一定的温度或光照等作用下，晶体中