第四讲_离子类载流子导电概述.pptVIP

弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度相等。都可表示为： 离子晶体要具有离子电导的特性，必须具备以下条件： 1）电子载流子的浓度小； 2）离子晶格缺陷浓度大并参与电导。因此离子型晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键。 影响晶格缺陷生成和浓度的主要原因是： 1）由于热激励生成晶格缺陷； 2）不等价固溶掺杂形成晶格缺陷； 3）离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离，形成非计量比化合物，因而产生晶格缺陷。 * 第四讲 材料电性能 — 离子类载流子导电 离子电导： 带电荷的离子。 本征导电（离子导电、空位导电） 杂质导电 本征导电 高温 ☆ 晶格与离子的联系 低温 杂质导电 4.1 离子电导理论 一.载流子浓度 对于固有电导（本征电导），载流子由晶体本 身热缺陷——弗仑克尔缺陷和肖脱基缺陷提供。 单位体积的载流子数目。 晶体结构与晶体缺陷的概念 晶体结构 固体的结构分为： 非晶体结构 多晶体结构 点阵：晶体内部结构概括为是由一些相同点子在空间有规则作周期性无限分布 晶体格子（简称晶格）：晶体中原子排列的具体形式。 简单立方晶格： 原子球的正方排列 简单立方晶格典型单