模拟电子技术第3章第二部分资料.pptVIP

3. P沟道结型场效应管： 截止区（夹断区）： uGS UGS(off) 0 恒流区： 0 uGS UGS(off) ，并且uGD UGS(off) 可变电阻区： 0 uGS UGS(off) ，并且uGD UGS(off) 4. P沟道增强型MOS管： 截止区： uGS UGS(th) ,并且UGS(th) 0 恒流区： uGS UGS(th) ，并且uGD UGS(th) 可变电阻区： uGS UGS(th) ，并且uGD UGS(th) 注：耗尽型MOS管与结型场效应管相类似。 判断下列N沟道场效应管的管型和工作状态。 T1为N沟道结型场效应管，工作在截止区。 管号 UGS(off)或UGS(th) US UG UD 结型 T1 -3 3 -1 10 MOS T2 4 -2 3 -1.2 MOS T3 -3 0 0 10 T2为增强型N沟道MOS管，工作在可变电阻区。 T3为耗尽型N沟道MOS管，工作在恒流区。 例：已知场效应管的输出特性曲线如图,分析当uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 解：由T的输出特性可知其开启电压为5V，图示电路uGS＝uI。 当uI＝4V时，uGS小于开启电压，故T截止。 当uI＝8V时，设T工作在恒流区，由输出特性得iD≈0.6mA，管压降 uDS≈VCC－iDRd≈10V uGD＝uGS－u