器件習题参考答案.docVIP

第一章： 1、0.354V；0.740V 5、正向0.3V时，=1.42/1.308/1.5×10-5A/cm2 正向0.7V时， 66.2/61.2/77.4A/cm2 6、Si:Vf=0.70V;Ge:Vf=0.31V 7、反向饱和电流Si：3.836×10-11A/cm2 Ge: 1.955×10-4A/cm2 势垒产生电流IG: Si:, 3.18×10-8A/cm2 Ge: , 8、 锗中以反向扩散电流为主，且其温度系数比产生电流大1倍，可只按IR计算： 故，温度为45℃时该锗结漏电流为82.94?A 10、Ge: Si: 11、解：因中性区长度小于少子扩散长度，其中少子按线性分布计算 12、解：1、根据两侧电荷总量相等计算 , 2、按两侧杂质实际分布解泊松方程 ；； =4.918×103V/cm 13、解：=2.3×1020cm-4 余误差和高斯分布由图表1-38 p37查出：2.3×1020cm-4（） 指数分布时为所查得数值除以2，即1.15×1020cm-4 14、解：根据已知查表得两种结深下扩散结势垒电容分别为3.0×103pFcm-2 (3?m);2.5×103pFcm-2(10?m) 按单边突变结近似 按线性缓变结近似： = 3微米时：查表为3.0，单边突变为2.79，缓变为3.97 10微米时：查表2.5，突变2.7