23半控型器件--晶闸管93017.pptVIP

2.3.4 晶闸管的派生器件 1. 快速晶闸管（Fast Switching Thyristor——FST) 包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管。 管芯结构和制造工艺进行了改进，开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。 由于工作频率较高，选择通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。 高频晶闸管系列 使用时应注意： 1.选用晶闸管时，不单要关断时间短，而且要求高频时的di/dt耐量高，且有一定裕量。 2.高频晶闸管为了提高关断速度，硅片厚度较薄，所以其重复阻断电压不易很大。 3.快速晶闸管的门极占据的面积增大，使阳极面积被压缩，使长期允许通过的电流受到限制，故不宜工作于低频。 2.双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 双向晶闸管内部结构 伏安特性 U I Ⅰ Ⅲ IG=0 T1为正 T2为负 T1为负 T2为正 触发方式 Ⅰ+触发：T1为正，T2为负；门极为正，T2为负。Ⅰ-触发：T1为正，T2为负；门极为负，T2为正。 Ⅲ+触发：T1为负，T2为正；门极为正，T2为负。 Ⅲ-触发：T1为负，T2为正；门极为负，T2为正。 常用触发 方式：Ⅰ+ 、Ⅲ- 双向晶闸管系列 KS系列双向可控硅元件，是一种具有双稳态特性的器件，可用作交流无触点开关，交流电机调速调光、调压、调温等设备中作为主要功率控制元件。 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。 有两个主电极T1和T2，一个门极G。 正反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性。 与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（SSR）和交流电机调速等领域应用较多。 使用时应注意： 1.两个指标： A.额定通态电流 由于通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。 如：200A（有效值）双向晶闸管 峰值为：IM=200×sqrt(2)=283A 平均值为：Id= IM/π=90A 所以：一个200A的双向晶闸管可代替两个90A的普通晶闸管。 B.换向电流临界下降率di/dt及换流电压临界上升率du/dt 2.门极电路灵敏度比较低：触发脉冲需采用宽脉冲或脉冲序列，以使阳极电流上升至大于IL时脉冲才消失。 3.管子关断时间tq较长 4.要防止双向晶闸管正、负半波工作的不对称 5.当元件电流过零关断时，必须给电感线圈磁场能量一个泄放回路，以免过高的自感电势损坏元件。 6.在电路中要在双向晶闸管的阳极与阴极之间加RC吸收回路，以限制过大的du/dt 主要参数与普通晶闸管基本一致。 IT(RSM)：额定通态电流。其额定电流是用有效值定义的。 系列 KS1 KS10 KS20 KS50 KS100 KS200 KS400 KS500 IT(RSM) 1 10 20 50 100 200 400 500 UDRM：断态重复峰值电压 (额定电压) 。应用时通常取两倍的裕量。 等级 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 UDRM(V) 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1200 1400 1600 1800 2000 其它参数 等级 0.2 0.5 2 5 du/dt (V/μs) ≥20 ≥50 ≥200 ≥500 等级 0.2 0.5 1 di/dt (A/μs) ≥0.2%IT(RSM) ≥0.5%IT(RSM) ≥1%IT(RSM) 断态电压临界上升率分级规定 换向电流临界下降率(di/dt)的规定 3. 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。 逆导晶闸管的额定电流有两个，一个是晶闸管电流，一个是反并联二极管的电流。 4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 光控晶闸管符号及等效电路 光控晶闸管的伏安特性 又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。 大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干