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AVX钽电容温度特性曲线图 在介绍AVX钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识: 额定容量（CR）这是额定电容。对于钽OxiCap?电容器的电容测量在25° C等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V?RMS120Hz的正弦信号，谐波与2.2Vd.c.偏见 电容公差这是实际值的允许偏差电容额定值。如需阅读，请咨询AVX技术出版物“电容固体钽电容器“公差。 钽电容器的电容随温度。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。 以上由AVX代理商希迪电子整理提供 钽电容的浪涌电压 是指电容在很短的时间最小的串联电阻的电路33Ohms（CECC国家1KΩ）最高电压。浪涌电压，一个小时时间高达10倍高达30秒的时间。浪涌电压不能用作电路设计，在正常运行过程中，电容定期充电和放电。 AVX钽电容承受的电压和电流浪涌这是所有电解电容共同，高的电应力穿过电介质。例如一个6伏的钽电容在额定运行时，有一个167千伏/毫米电压电场。确保整个电容器终端的电压的决不会超过定的浪涌电压评级。作为钽电容负极板层使用半导体二氧化锰有自愈能力。然而，这低阻有限的。在低阻抗电路的情况下，电容器可能被浪涌电流。降的电容，增加了元件的可靠性。AVX公司推荐降级表“（第119页）总结额定电压使用上常见的电压，低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电保护电阻建议1Ω/ V。如果应使用钽电容器降系数高达70％。在这种情况下，可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。?A系列组合应被用来增加工作电压的等效电容器：例如，两个22μF25V系列部分相当于一个11μF50V的一部分。钽电容的反向电压 AVX钽电容的反向电压是有严格的限制的，具体如下： 在1.0V 25° C10％的额定工作电压0.5V 85° C条件下最大为3％的额定工作电压0.1V 125℃条件下最大为1％的额定工作电压反向电压值均以任何时间上的最高。这些限制是假设电容器偏振光在其大多数的正确方向工作寿命。他们的目的是涵盖短期逆转如发生在开关瞬态极性期间的一个印象深刻的波形的一小部分。连续反向电压两极分化将导致漏电流。在在何种情况下连续反向应用电压可能会出现两个类似的电容应采用与负端接背回配置连接在一起。在大多数情况下这种组合将有一个标称电容的电容的一半无论是电容。在孤立的脉冲条件或在最初几个周期内，电容可能的方法完整的标称值。反向电压等级的设计盖小级别游览得天独厚的条件弄错极性。引用的值是不打算覆盖连续的反向操作。钽电容的叠加交流电压（Vr.m.s.） 这是最大的r.m.s.交流电压;叠加一个特区电压，可应用到一个电容。在华盛顿的总和电压和峰值叠加A.C.电压不得超过该类别电压，v.c.第2节中的全部细节 钽电容的成型电压。这是在阳极氧化形成的电压。?“这个氧化层的厚度是形成电压成正比一个电容器，并在设置额定电压的一个因素。 扩展阅读: 以下由AVX代理商希望电子整理提供,详细情况请直接访问www.cdindustries.hk 损耗角正切（TAN）。这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示，为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。?COS（90 -?）是真正的功率因数。?“使用测量进行测量谭桥梁，提供一个0.5V?RMS120Hz的正弦信号，免费谐波的2.2Vdc的偏见。 耗散因数（D.F.）。耗散因数测量的切线损耗角（TAN），以百分比表示。测量DF是开展测量桥梁供应一个0.5V?RMS120Hz的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc。?DF值是温度和频率依赖性。注意：对于表面贴装产品所允许的最大DF值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会见了由组件后基板上焊接。 耗散因数的频率依赖性随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap庐电容器的典型曲线相同的： 耗散与温度的关系耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap相同?电容器。对于最高限额，请参阅的评分表。 的频率特性 以下由AVX代理希迪电子整理提供.未经许可授权,禁止转载! 我们知道每种电容都有它的频率特性,那么AVX钽电容的频率特性是怎么样的呢?AVX钽电容随着频率的增加有效电容减小直到共振达到（通常视0.5?-?5MHz的之间该评级）。除了共振频率的设备变得感性。除了100kHz的电容继续下降 下面以AVX贴片钽电容E型的220UF 10V规格为例,来说明钽电容的频率特性. AVX钽电容的阻抗Z)。这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因