一种改善深沟槽刻蚀的氧化物硬掩模轮廓的方法.docVIP

一种改善深沟槽刻蚀的氧化物硬掩模轮廓的方法CN 100565817 C 摘要 一种改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的方法，通过在去除多晶硅硬掩模之前，在开孔中填充光刻胶，在光刻胶保护暴露的硅衬底和氧化物轮廓的条件下去除硬掩模，然后在轮廓完整的氧化物硬掩模下，进行深沟槽刻蚀，以保证器件的可靠性和稳定性。 权利要求(8) 1.一种改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的方法，包括如下步骤： a)在硅衬底上依次形成氧化物层、氮化物层、电介质层、多晶硅层； b)形成光刻胶的深沟槽刻蚀图案； c)形成所述多晶硅层的开口； d)以余下的多晶硅层为硬掩膜，形成所述电介质层、氮化物层、氧化物层的开口； e)在d)步骤所述开口中填充光刻胶； f)去除d)步骤所述开口中的部分光刻胶； g)去除所述多晶硅层； h)去除d)步骤所述开口中的全部光刻胶； i)进行深沟槽刻蚀。 2. 根据权利要求1所述的改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的方法，其特 征在于，所述的电介质层是掺杂硅玻璃。 3. 根据权利要求2所述的改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的方法，其特征 在于，所述的掺杂硅玻璃是硼硅玻璃。 4. 根据权利要求1所述的改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的方法，其特 征在于，所述的电介质层是未掺杂的硅玻璃。 5. 根据权利要求1?4中任一项所述的改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的 方法，其特征在于，采用回蚀的方法去除所述的开口中的部分所述光刻胶。 6. 根据权利要求1?4中任一项所述的改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的 方法，其特征在于，采用化学机械研磨方法去除所述开口中的部分光刻胶。 7. 根据权利要求1?4中任一项所述的改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的 方法，其特征在于，采用干或湿式刻蚀方法去除所述的多晶硅层。 8. 根据权利要求1?4中任一项所述的改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的 方法，其特征在于,.采用化学机械研磨方法同时去除所述开口中的部分光 刻胶和多晶硅层。 说明一种改善深沟槽刻蚀的氧化物硬掩模轮廓的方法 技术领域 本发明涉及半导体制程中的深沟槽刻蚀方法，特别是涉及改善深沟槽 刻蚀的硬掩模轮廓的方法。 背景技术 在半导体器件制作过程中，常常用到深沟槽刻蚀，其中存储器的栅极 下电容的制作就是一例。标准深沟槽刻蚀的过程是在硅衬底上依次形成氧 化物层、氮化物层、电介质层和多晶硅层，形成多晶硅硬掩模开口，氧化 物硬掩模开口，去除多晶硅硬掩模，然后进行深沟槽刻蚀。但是由于在去 除多晶硅硬掩模时，硅衬底已暴露，存在多晶硅残留于氧化物开口底部的 硅衬底上，接着以氧化物为硬掩模对硅衬底进行深沟槽刻蚀时，由于残留 的多晶硅也成为硬掩模，因此氧化物硬掩模的轮廓不清晰，以这样不清晰 的氧化物硬掩模进行深沟槽刻蚀得到的图案尺寸会产生很大偏差和不规 则问题，如图2和图7所示。导致最后的器件合格率下降。 到目前为止，还没有任何有效的方法来防止在进行去除多晶硅硬掩模 的刻蚀以后出现衬底破坏的问题。 发明内容 本发明的目的是提供一种方法，可以防止在进行深沟槽刻蚀之前进行 硬掩模多晶硅的去除时不会在硅衬底上产生残留。 本发明的改善深沟槽刻蚀的氧化物硬掩模轮廓的方法，包括如下步骤： a) 在硅衬底上依次形成氧化物层、氮化物层、电介质层、多晶硅层； b) 形成光刻胶的深沟槽刻蚀图案； C)以光刻胶为掩模，形成多晶硅层的开口； d)以多晶硅层为硬掩模，形成电介质层、氮化物层、氧化物层的开e) 在开口中填充光刻胶； f) 去除开口中的部分光刻胶； g) 去除硬掩模多晶硅； h) 去除开口中的全部光刻胶； i) 以氧化物层为硬掩模，对硅衬底进行深沟槽刻蚀。 根据本发明的电介质层可以是掺杂硅玻璃，如硼硅玻璃，也可以是未 掺杂的硅玻璃。 根据本发明的一个方面，去除部分光刻胶可以采用回蚀(etch back)的 方法，去除多晶硅硬掩模可以采用干或湿式刻蚀方法。 根据本发明的另一个方面，部分光刻胶的去除和多晶硅硬掩模的去除 可以用化学机械研磨方法同时去除。 由于本发明在去除多晶硅硬掩模之前，用光刻胶填充了多晶硅和氧化 物形成的开孔中，保护暴露的硅衬底和氧化物硬掩模的轮廓，当去除多晶 硅硬掩模时，其残留物不会对硅衬底和氧化物硬掩模轮廓产生影响，因此 可以改善深沟槽刻蚀时氧化物硬掩模的轮廓，保证器件性能的可靠性和稳 定性。 附图说明 以下结合附图进一步说明本发明的特点，这些附图是说明本发明的典 型实施例，构成本发明的一部分，但其不构成对本发明的任何限制。 图l是根据现有技术的方法，形成多晶硅和氧化物开口以后的截面示 意图。 图2是根据现有技术的方法，去除多晶硅硬掩模后的截面示意图。 图3是根据本发明的一个实施例，在形成多晶硅和氧化物开口以后填 充光刻胶，以及回蚀光刻胶以后的截面示意图。 图4是在图3的步骤以后，去除硬掩模后，再去除光刻胶后的截面示意图。 图5是根据本发明