第一章 电学:子离子导电.pptVIP

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  • 2016-12-06 发布于河南
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第一章 电学:子离子导电

练习题: 一截面为0.6cm2,长为1cm的金属导体样品,设μ=8000cm2/Vs,n=1015cm3,试求该样品的电阻 2.2冷加工和缺陷对电阻率的影响 2.2.1冷加工对电阻率的影响 室温下测得经过相当大的冷加工变形后纯金属(如铁、铜、银、铝)的电阻率,比未经变形的总共只增加2%—6%。 只有金属钨、钼例外,当冷变形量很大时,钨电阻可增加30%---50%,钼增加15%—20%。 一般单相固溶体经加工后,电阻可增加10%—20%。而有序固溶体电阻增加100%,甚至更高。也有相反的情况,镍—鉻,镍—铜—锌等中形成K状态,则冷加工变形将会使合金电阻率降低。 冷加工引起金属电阻率增加,这同晶格畸变(空位、位错)有关。冷加工引起金属晶格畸变也像原子热振动一样,增加电子散射几率;同时也会引起金属晶体原子间距键合的改变,导致原子间距的改变。 2.2.2缺陷对电阻率的影响 空位、间隙原子以及它们组成、位错等晶体缺陷使金属电阻率增加。 根据马西森定律,在极低温度下,纯金属电阻率主要由其内部缺陷(包括杂质原子)决定,即由剩余电阻率?′决定。因此,研究晶体缺陷对估价单晶体结构完整性有重要意义。 掌握这些缺陷对电阻的影响,可以研制具有一定电阻的金属。半导体单晶体的电阻值就是根据这个原则进行人为控制的 。 2.3固溶体的电阻率 当形成固溶体时,合金导电性能降低。即使是在导电性好的金属溶剂中溶入

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