化合物半导体器件-第六章 量子器件与热电子器件.pptVIP

* 化合物半导体器件 化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2010.5 隧道二极管 共振隧道二极管 热电子器件 第六章 量子器件与热电子器件 量子效应：如CMOS器件，随栅氧化层厚度的减小，电子隧穿进入氧化层，导致栅击穿。 热载流子效应：当其能量达到或超过Si/SiO2 界面势垒时，热载流子便会注入到SiO2层，产生界面态、氧化层陷阱或被陷阱俘获，使氧化层电荷增加或波动不稳。 第六章 量子器件与热电子器件 隧道二极管 6.1 隧道二极管 6.1.1 隧穿系数T 图6.1 （a）一维势垒，（b）波函数穿过势垒的示意图 （a） （b） 粒子通过一维势阱的隧穿 经典理论：若能量小于势垒高度，粒子总被反射回来。 量子理论：若能量小于势垒高度，粒子以一定的几率隧穿过 势垒。 6.1 隧道二极管 图6.3 隧道二极管的典型静态电流电压特性 6.1.2 I-V特性 三个电流分量： 1）带间隧道电流（Band-to-Band tunneling current） 2）过剩电流（Excess current） 3）热电流（Thermal current） 正向特性：负阻现象 1）峰值电压Vp处有峰值 电流Ip； 2）谷底电压Vv处有谷底 电流I