微电子产品可靠性.pptVIP

* 一、双极型晶体管的核加固主要从设计和工艺两方面进行 式中,K′为晶体管中子损伤常数,τB 为基区渡越时间。 显然Δ(1/HFE)正比于τB；而τB∝WB2,所以,减小WB对提高晶体管抗中子辐照能力有重要作用。 1、减小产生辐射效应的体积 （1）经研究,电流增益hEF衰减与快中子通量φn间的关系为： * (2).小的基区宽度WB，小的几何图形（如小的e和c面积）、浅结（小的扩散电容）、突变型e区杂质分布（用离子注入或用AS扩散替代P扩散）对减小电离辐射体积、降低辐射灵敏度有利； 双极型晶体管的辐射损伤阈值 * (3).晶体管工作点IC选择在hFE随IC变化的峰值附近，大电流下比小电流下工作更耐辐射； 2.降低少数载流子寿命以减弱中子辐照对寿命的影响； 3.改善表面态，实施表面钝化； 4.在保证击穿电压的前提下，降低集电区电阻率以降低饱和压降VCES ；。 5.采用真空封装和加保护层； 6.辐射筛选； * 二、双极型集成电路的核加固 除采用上述分立器件的种种加固措施外，还必须采用： 1 介质隔离取代PN结隔离； 2 用金属薄膜电阻取代扩散电阻； 3 充分利用集成技术，改进电路设计： 采用各种类型的补偿、分流和限流电路， 来减小光电流和中子损伤的影响。 *