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第九章 工艺集成 西南科技大学 理学院 2013.4. 9 * .. 主要内容 集成电路中的无源器件 双极型工艺 MOSFET技术 MESFET技术 MEMS技术 * 9.1 无源单元 集成电路的电阻 集成电路的电容 集成电路的电感 三种无源器件制造工艺过程请大家 自学 * PN结隔离双极型集成电路制造工艺 ⑴衬底制备（ρ=8-13Ω·cm，P型,（111）晶面，300-400μm） ⑵埋层氧化（埋层扩散的掩蔽膜，1-1.5μm；埋层作用降低集电极串联电阻） ⑶埋层光刻（刻埋层扩散区窗口） ⑷埋层扩散（N+,R□≤20Ω/□） 工艺流程 * SiO2 P-si衬底 砷离子注入 埋层注入 * ⑸外延（N型Si，ρ=0.3-0.5Ω·cm，8-10μm）→ 外延层 N型外延层 n+埋层 * （6）隔离光刻（刻隔离墙扩散窗口） N型外延层 n+埋层 光刻胶 SiO2 Si3N4 隔离光刻 * （7）隔离扩散（形成P+型隔离墙：P+扩散要穿透外延层与P-Si衬底连通，将N型外延层分割成若干独立得“岛”；两步扩散） N型外延层 n+埋层 沟道隔断区硼离子注入 * n+埋层 n n SiO2 P+沟道隔断区 （8）隔离氧化（隔离扩散的掩蔽膜，0.6-1μm） 氧化物隔离 * （9）形成基区（基区扩散掩蔽膜：0.5-0.8μm； n n SiO2 P+沟道隔断区 P基区 基区硼离子注入 基区硼离子注入形成基区 （10）基区扩散（预淀积硼；硼再分布/氧化，氧化得到发射区磷扩散的掩蔽膜，0.5-0.6μm；） * （11）发射区光刻（刻出发射区、集电区窗口） （12）发射区扩散（磷预淀积；再分布/三次氧化） n n SiO2 P+沟道隔断区 P基区 发射区区磷离子注入 N+发射区 光刻胶 发射区与集电区扩散 * （13）刻引线孔（刻出电极引线欧姆接 触窗口） （14）蒸铝（真空蒸高纯Al） （15）铝反刻（刻蚀掉电极引线以外的铝层） * P+沟道隔断区 n n SiO2 P基区 发射区电极 基区电极 集电区电极 n-p-n型晶体管 * 工艺流程 （16）初测→ （17）划片→ （18）烧结→ （19）键合→ （20）中测→ （21）封帽→ （22）工艺筛选→ （23）总测→ （24）打印、包装、入库。 *