微电子器件(4-4).ppt

* 4.4 MOSFET 的亚阈区导电 本节以前的漏极电流公式只适用于 VGS VT ，并假设当 VGS VT 时 ID = 0 。但实际上当 VGS VT 时，MOSFET 仍能微弱导电，这称为 亚阈区导电。这时的漏极电流称为亚阈电流，记为 IDsub 。 定义：使硅表面处于本征状态的 VGS 称为 本征电压 ，记为 Vi 。当 VGS = Vi 时，表面势 ?S = ?FB，能带弯曲量为 q?FB，表面处于 本征状态。 当 Vi VGS VT 时，?FB ?S 2?FB，表面处于 弱反型状态，反型层中的少子（电子）浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡多子浓度之间。 在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算 IDsub 时只考虑扩散电流而忽略漂移电流。 式中， 4.4.1 MOSFET 的亚阈漏极电流 设沟道上下的纵向电势差为 ( kT/q ) ，则沟道厚度 b 可表为 根据高斯定理， 于是可得沟道厚度为 式中 CD 为沟道耗尽区的单位面积 势垒 电容， 将 n(0)、n(L) 和 b 代入 中，得 表面势 ?S 与栅源电压 VGS 之间的关系可表为 式中， 由于 ?FB ?S 2?FB ，CD(?S ) 中的 ?S 可取为 1.5?FB 。 于是得到亚阈电流的表达式为 1、IDsub 与 VGS 的关系 IDsub 与 VGS 之间为指数关系，当 VGS = VT 时 IDsub ≠ 0； 2、IDsub 与 VDS 的关系 当 VDS = 0 时 IDsub = 0；当 VDS 较小时，IDsub 随 VDS 的增大而增大；但是当 后，IDsub 变得与 VDS 无关，即 IDsub 对 VDS 而言会发生饱和。 4.4.2 MOSFET 的亚阈区特性 定义：亚阈区的转移特性斜率的倒数称为亚阈区栅源电压摆幅，记为 S ，即 S 的意义：使 IDsub 扩大 e 倍所需的 VGS 的增量。 对于作为开关管使用的 MOSFET，要求 S 的值要尽量小。减小 S 的措施是 3、亚阈区栅源电压摆幅 S *