半导体中载流子的统计分布.素材.ppt

第一节中，进行简并半导体的载流子浓度计算时，并未考虑禁带变窄效应，所以只能适用于掺杂浓度小于3×1018cm-3的情况。当掺杂浓度大于3×1018cm-3时，必须考虑禁带变窄效应的影响。但是重掺杂半导体材料的许多特性还没有完全被人们所认识，至今尚无完善的理论。 3.6.4 禁带变窄效应 1958年发现具有负阻效应的隧道二极管，就是用重掺杂的半导体制程的pn结，其中n型材料的EF进入了导带，而p型材料的EF进入了价带，它们都是简并的。 * 小 结 求载流子浓度 n0，p0 g(E) 状态密度（单能谷，多能谷） f(E) 统计分布函数 玻耳兹曼统计 非简并半导体 费米统计 简并半导体 本征半导体 Ei，ni 杂质半导体 （单一杂质） （低温弱电离区 ? 中等电离区 ? 强电离区 ? 过渡区 ? 本征激发区） 杂质半导体 （补偿情形） （低温弱电离区（极低温区 ? 转变为单一杂质） ? 中等电离区 ? 强电离区 ? 过渡区 ? 本征激发区） * 只有一种施主 电中性条件 电子浓度 费米能级 低温弱电离 n0 = nD+ 强电离区 n0 = nD+ n0 = ND 过渡区 本征区 (NDni) * NDNA 电中性条件 电子浓度 费米能级 低温 弱电离 NAn0 n0NA 强电离区 过渡区 本征区 * *