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半 导 体 照 明 技 术 第五章 半导体发光材料体系 半导体发光材料是发光器件的基础，如果没有砷化镓、磷化镓、磷砷化镓等材料的研究进展，发光器件也绝不可能会取得今天这样大的发展，今后器件性能的提高也很大程度取决于材料的进展。 成为半导体发光材料的条件： 1、半导体带隙宽度与可见和紫外光子能量相匹配。 2、只有直接带隙半导体才有较高的辐射复合概率。 3、还要求有好的晶体完整性、可以用合金方法调节带隙、有可用的p型和n型材料，以及可以制备能带形状预先设计的异质结构和量子阱结构。 一、砷化镓（GaAs） 1、砷化镓是黑灰色固体，是典型的直接跃迁型材料，其光子能量为1.4eV左右，发射的波长在900nm左右，属于近红外区。它是许多发光器件的基础材料，外延生长用的衬底材料。 2、砷化镓属闪锌矿结构，是极性共价键结合，离子性占0.31。砷化镓的自然解理面是（110）。 矿物晶体在外力作用下严格沿着一定结晶方向破裂，并且能裂出光滑平面的性质称为解理，这些平面称为解理面。 3、砷化镓中的缺陷主要是位错和化学计量比偏离造成的缺陷。(如：空位、填隙原子、代位原子，空位特别是镓空位对发光效率影响很大) 4、铜是砷化镓中最有害的杂质，它能参与砷化镓晶体中所有的结构缺陷和杂质的相互作用