半导体照明技术(第十章)素材.ppt

N退火 N2 P压焊点光刻 P压焊点蒸发 P压焊点剥离 钝化层沉积 气体，功率 钝化层光刻 钝化层刻蚀 钝化层去胶 丙酮 中道终测检验 减薄 划片 裂片 扩膜 划片,裂片工作流程图 划片前晶片背面 划片后背面 划片后,侧视图 裂片后,侧视图 扩膜后,正视图 测试分检 总的来说，LED制作流程分为两大部分： 1、首先在衬低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。 常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。 MOCVD是利用气相反应物及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。 2、然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。 如果芯片清洗不够干净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异