半导体物理与器件第五章1素材.ppt

半导体物理与器件 陈延湖 第五章 载流子的输运 在外加电场的条件下，载流子的漂移运动 本章主要内容 5.1 载流子的漂移运动 漂移电流密度 迁移率 载流子的散射 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电导率 电导率（电阻率）杂质浓度和温度的关系 速度饱和效应 耿氏效应 多能谷散射 负微分电导效应 5.2 载流子扩散运动 扩散电流密度 扩散定律 扩散系数 总的电流密度方程 5.3 杂质的不均匀分布 感生电场 爱因斯坦关系 5.1 载流子的漂移运动 漂移电流密度 则通过截面积为s的A处的电流强度为： 两者结论矛盾： 因为电子带负电，所以 一般应和 E 反向，习惯上迁移率只取正值，即： 载流子的迁移率 迁移率一方面反映了半导体中电子的微观散射作用的强弱。 另一方面与半导体的宏观电流密度相联系。因而是研究和描述半导体导电机理和散射特性的重要物理量。 散射概念的引入 散射的概念：载流子在半导体中运动时，不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞。用波的概念，即电子波在半导体中传播时遭到了散射。 在有外电场时： 首先分析迁移率与散射强弱的关系 1 平均自由时间和散射几率P的关系 2 迁移率与平均自由时间的关系 1 平均自由时间和散射几率的关系 平均自由时间：外电场|E|作用下载流子作定向漂移运动仅在连续两次散射间的时间内载流子被加速，这段时间称为自由时间。有极多个电子，自由时间长