模拟电子学础课件-第五章.pptVIP

例5.2.1 电路如图5.2.1b所示，设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?，VDD=5V， VT=1V， ，试计算电路的静态漏极 电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 解： 根据电路图可得 由于VGSQVT，因此NMOS管工作在可变电阻区或饱和区。 假设工作在饱和区，则有 满足 假设成立，结果即为所求。 N沟道增强型MOS管电路直流计算步骤如下： 设MOS管工作在饱和区，则需符合下列条件： 利用饱和区的电流﹣电压关系曲线分析电路； 若VGSQVT，则MOS管可能截止；若VDSQ(VGSQ-VT)，则MOS管可能工作在可变电阻区； 若前面假设不成立，必须做出新的假设，并重新分析。 P沟道MOS管电路的分析与N沟道类似，但需注意其电源极性和电流方向不同。 (2)带源极电阻的NMOS共源极放大电路 如图5.2.2所示为带源极电阻的NMOS共源极放大电路。 根据电路可得，栅源电压VGS为： 当NMOS工作在饱和区： 需要验证是否满足 注意：与BJT电路类似，在MOS管接入源极电阻，也具有稳定静态工作点的作用，并且现在很多MOS管用电流源取代源极电阻。 例5.2.2 电路如图5.2.2所示，设MOS管的参数为VT=1V， 。电路参数为VDD=5V，﹣VSS=﹣5V， Rd=10kΩ，R=0.5kΩ，ID=0.5mA。若流过Rg1、Rg2的电流为ID的1/10，试确定Rg1和R