Embedded_system_第五章_闪速存储器答题.ppt

闪速存储器 闪速存储器概述 闪速存储器Flash是一种高密度、真正不挥发的高性能读写存储器，兼有功耗低、可靠性高等特点。 —固有不挥发性 —易更新性 —成本低、密度和可靠性更高 闪速存储器概述（1） 根据工艺Flash主要有两类： —NOR Flash： ? 连接N-MOS单元的线都是独立的。 ? 可以随机读取。 ? 适于程序代码的并行读写存储，常用于制作PC的BIOS存储器和微控制器内部存储器等等。 —NAND Flash： ? 将几个N-MOS单元用同一根线连接。 ? 可以按顺序读取存储单元的内容。 ? 适合于数据或文件的串行读写存储。 闪速存储器概述（2） 现代片内Flash的优点： 单一电源电压供应。 可靠性高。 擦写速度快。 支持在线编程。 闪速存储器的编程操作（1） 概述 Flash的编程操作分为： —擦除：将存储单元的内容由0变成1 —写入：将存储单元的内容由1变成0 擦除、写入操作都是通过设置或清除Flash控制寄存器（FLCR）中的某个或某些位来完成的。 闪速存储器的编程操作（2） 概述 页（page）和行（row） —Flash在片内是以页（page）和行（row）为单位组织的。 —页和行的大小（字节数）随整个Flash的大小变化而