2MOS二极管2.pptVIP

实际MOS的平带电压及C-V特性 氧化物电荷及其对C-V特性的影响 1、界面陷阱电荷（interface trapped charge） 硅（100）面， 约 ， 硅（111）面， 约 。 2、氧化物固定电荷（fixed oxide charge） 位于 界面约3nm的范围内，这些电荷是固定的，正的。 （100）面， 约为 ， （111）面， 约为 ，因为（100）面的 和 较低，故硅MOSFET一般采用（100）晶面。 3、氧化物陷阱电荷（oxide trapped charge） 大都可以通过低温退火消除。 4、可动离子电荷（mobile ionic charge） 诸如钠离子和其它碱金属离子，在高温和高压下工作时，它们能在氧化层内移动。 氧化物中电荷对C-V特性的影响 克服硅－二氧化硅界面电荷和二氧化硅中电荷影响所需要的平带电压： 如果氧化层中正电荷连续分布，电荷体密度为 ，则 总的平带电