31非晶硅结构及性质.ppt

非晶硅薄膜太阳能电池 非晶硅薄膜材料的能带 非晶硅薄膜材料的能带 非晶硅薄膜材料的能带 非晶硅薄膜材料的光学特性(光吸收) 紫外-可见吸收光谱是物质中分子吸收200-800nm光谱区内的光而产生的。这种分子吸收光谱产生于价电子和分子轨道上的电子在电子能级跃迁(原子或分子中的电子，总是处在某一种运动状态之中。每一种状态都具有一定的能量，属于一定的能级。这些电子由于各种原因(如受光、热、电的激发)而从一个能级转到另一个能级，称为跃迁。)当这些电子吸收了外来辐射的能量就从一个能量较低的能级跃迁到一个能量较高的能级。因此，每一跃迁都对应着吸收一定的能量辐射。具有不同分子结构的各种物质，有对电磁辐射显示选择吸收的特性。吸光光度法就是基于这种物质对电磁辐射的选择性吸收的特性而建立起来的，它属于分子吸收光谱。 紫外-可见分光光度计可用于物质的定量分析、结构分析 非晶硅薄膜材料的光学特性(光致发光PL) 光致发光是半导体的一种发光现象，利用光照射到材料表面，其电子吸收光子而跃迁到高能级，处于高能级的电子不稳定，会回落到低能级，同时伴随着能级差的能量以光辐射的形式发射出来。这个过程就是光致发光，即PL。 主要检测电子结构，能带。 1977年，美国RCA实验室的D．L．Staebler和C．R．Wronski研究发现：a-Si:H薄膜，经长时间光照后，其光电导与暗电导随时间持续减小，并趋向于饱和，但经过150℃以上温度退火处理1-3小时后，光暗电导又恢复到光照前的状态，这种可逆的光致亚稳变化效应称为Staebler-Wronski效应，简称S-W效应。 非晶硅薄膜材料的光致亚稳特性 S-W效应是a-Si:H薄膜的一种本征的体效应。光照在a-Si:H薄膜材料中产生了亚稳悬键缺陷态，这些缺陷态主要起复合中心的作用，从而导致了a-Si:H薄膜材料光电性质的退化。光致亚稳变化除光暗电导衰退外，还表现在其他许多方面。如载流子扩散长度减小，电子自旋共振信号增加，费米能级向带隙中央移动，带尾态增加，器件结电容增加，等等。 非晶硅薄膜材料的光致亚稳特性 （1）Si-Si弱键断裂模型 Si-Si弱键断裂模型是H．Derch等人于1981年基于ESR实验首先提出来的，后来M．Stutzmann等人又进一步发展了该模型，认为光致亚稳缺陷是Si-Si弱键断裂所致。光照时，光生电子一空穴对很快热化到带尾局域态中，并通过直接无辐射复合和通过复合中心的复合两种可能的复合途径与产生过程维持平衡。直接无辐射复合是一个多声子过程，它提供了打断Si-Si弱键而形成Si悬键缺陷的能量，并引起附近小范围的原子重构。在Si-Si弱键断裂以后，邻近原有的Si-H键就会同新生的悬键交换位置(转换方向)而达到分离和稳定两个新生悬键的目的。也就是说，光子能量被Si-Si弱键吸收以后有两个作用，第一是打断Si-Si弱键，第二是驱使Si-H键分离和稳定两个新生悬键。 光致亚稳特性的微观机制和物理模型 * * 非晶硅薄膜材料的结构特点 晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大，从而形成稳定的晶格结构----长程有序性 非晶硅薄膜材料的结构特点 非晶硅中原子的分布不完全是遵从着正四面体的规律，即非晶硅中原子的分布基本上是正四面体的形式，但是却发生了变形，即产生出了许多缺陷—出现大量的悬挂键和空洞等，如图所示。非晶硅的密度约低于单晶硅—短程有序。 非晶硅薄膜材料的结构特点 非晶硅中的悬空键可以被氢所填充，经氢化之后，非晶硅的悬空键密度会显著减小。研究表明，H在a-Si:H中是以SiH键、(SiHHSi)n、分子氢(H2)等多种键合方式存在，只有SiH才能饱和Si悬挂键，减少禁带中的悬空键密度。 价电子能态也可分为导带、价带和禁带，但导带与价带都带有伸向禁带的带尾态。带尾态与键长和键角的随机变化有关，导带底和价带顶被模糊的迁移边取代，扩展态与局域态在迁移边是连续变化的，高密度的悬挂键在隙带中引进高密度的局域态。 通常隙态密度高于1016/cm3，过剩载流子通过隙态进行复合，所以通常非晶材料的光电导很低，掺杂对费米能级位置的调节作用也很小，这种a-Si材料没有应用价值。氢化非晶硅(a-Si:H)材料中大部分的悬挂键被氢原子补偿，形成Si-H键，可以使隙态密度降至1016／cm3以下，这样的材料才表现出良好的电学性能。 在a-Si:H中氢的键入引起的能带结构变化主要使带隙态密度降低和使价带顶下移，从而使其带隙加宽，因为Si-H键的键合能要大于Si-Si键。这些Si-Hx（x=1,2）键在价带中形成了一些特征结构，已为紫外光电子发射谱观测所证实。而同时导带底的上移要小得多。实验