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湿法刻蚀 工艺原理：Rena Inoxide刻蚀工艺主要包括三部分：硫酸、硝酸、氢氟酸 氢氧化钾 氢氟酸本工艺过程中，硝酸将硅片背面和边缘氧化，形成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅反应生成络合物六氟硅酸，从而达到刻蚀的目的。刻蚀之后经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并将从刻蚀槽中携带的未冲洗干净的酸除去。最后利用HF酸将硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水冲洗硅片，最后用压缩空气将硅片表面吹干。 工艺流程：上料→,,混合酸液腐蚀→风刀1→DI水冲洗→KOH腐蚀→风刀2→DI水冲洗→腐蚀→风刀3→DI水冲洗→压缩空气风干→下料工艺条件：去离子水压力为4、压缩空气压力为6环境温度：25±3℃相对湿度：40%～60% ，无凝露 腐蚀槽温度：6-9℃槽温度：18℃左右 主要控制点：1、腐蚀深度控制在1.2±0.2之间 2、刻蚀宽度D≤1，每片测量四点，测量点在每边的中间点，20点（5道）或32点（ 8道）的平均值。3、绝缘电阻≥1。以上三个参数在正常生产时至少每隔1小时测量一次。当更换药液和停产一段时间再生产时及参数不正常时，要求增加测量次数。 4、腐蚀槽循环流量要求设定在30~35之间。循环流量过小会导致腐蚀量不够，甚至硅片边缘 不能完全去除；循环量过大会导致过腐蚀现象和硅片边缘刻蚀宽度出现阴影严重引起表面不合格。5、腐