第二章半导体中的杂质和缺陷试卷资料.ppt

第二章 半导体中的杂质和缺陷 1?? 来源 2 杂质晶格位置 3 杂质对电学性质的影响 4 杂质的能级特性 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质 半导体中的缺陷 1、来源: （1）沾污 可动离子—钠离子、钾离子、氢离子 化学试剂、玻璃器皿、高温器材、人体玷污 （2）人为控制掺杂 2 杂质晶格位置 （1）间隙式(interstitial) – 杂质原子位于晶格原子之间的间隙位置 金刚石型晶胞内原子占有体积34%，空隙66% 四面体间隙位置 六角形间隙位置 （2）替位式(substitutional)--杂质原子取代晶格原子而位于格点位置 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si 替位式杂质要求 原子大小相近 价电子壳层结构接近 Si：r=0.117nm B：r=0.089nm P：r=0.11nm 间隙式杂质Li、H —原子半径很小 Li：r=0.068nm B -1 （1）受主杂质：杂质电离时能够在半导体中接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心。 3 杂质对电学性质的影响 例如：Si 室温下 本征载流子浓度为1010/cm3 掺入B (NA