第十章工艺集成精选.pptVIP

第十章 VLSI工艺集成 §3 双极工艺 标准埋层集电极工艺（SBC） 双极工艺 集电极扩散隔离工艺（CDI） 双极工艺 三重扩散工艺（3D） 改进的SBC工艺 先进的双极工艺 双多晶自对准双极工艺 主要特点 深槽隔离双多晶自对准双极工艺 §4 CMOS工艺 3 μm CMOS工艺 3 μm CMOS工艺 CMOS工艺 0.5um CMOS工艺 0.18um CMOS工艺 双阱工艺 STI隔离 LDD 全局平坦化 硅化物金属 低K介质 钨插塞 Al合金互连 工艺流程－ n-well Formation 1. 双阱工艺 衬底：p- / p+ (100)晶向 n阱形成：氧化 光刻 注入 退火 工艺流程－ p-well Formation p阱形成：光刻 注入 退火 工艺流程－ STI Trench Etch 2. 浅槽隔离工艺 STI刻蚀：SiO2生长、Si3N4淀积、隔离图形、刻蚀 工艺流程－ STI Oxide Fill STI氧化物填充： SiO2生长、沟槽CVD氧化物填充 工艺流程－ STI Formation STI氧化