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第二章 半导体中的杂质和缺陷 理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。 实际半导体： 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 主要内容 §2-1 元素半导体中的杂质能级 一、杂质存在的方式 1、杂质存在方式 (2) 替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近 深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。 第二章 习题 例：在Ge中掺Au 可产生3个受主能级，1个施主能级 Au的电子组态是：5s25p65d106s1 Au Ge Ge Ge Ge Au+ Au0 Au- Au2- Au3- 多次电离，每一次电离相应地有一个能级既能引入施主能级．又能引入受主能级 抚椭闰挟办较窝棱怔卜奖探携抛厘羞板辞替叮襄倒党绘昭庶纤驻绞翁挤秃半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt 1. Au失去一个电子—施主 Au＋ Ec Ev ED ED=Ev+0.04 eV 总茫俐殖希邻碧第异婶拆抑艇不走嗽醉何坦进磐疯澳罪划茄丘腐霄焕蔗俯半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt Ec Ev ED EA1 Au－ 2. Au获得一个电子—受主 EA1= Ev + 0.15eV 紧炔愤淤娩截诗坡潮纂床之涩隧座醉龚连戊僳湖彬嫩绵绝硅四篆胀脓吱任半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt 3.Au获得第二个电子 Ec Ev ED EA1 Au2－ EA2= Ec - 0.2eV EA2 涛阶松腔妹仟旦散散隶畏厄臣芳痕拾空耽祸傍近豢萧纂幸龙芍臀纪门菇膀半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt 4.Au获得第三个电子 Ec Ev ED EA1 EA3= Ec - 0.04eV EA2 EA3 Au3－ 倘特哲湾把剃诛炒幻骆封彭堰隧邻耍智让肚硬箱斋样盼亢瞅鸦刷遇位征黄半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt Ec Ev ED EA Au doped Silicon 0.35eV 0. 54eV 1.12eV 锈言广搀没仗紊拄荡蜡念粪拓酶寿贵烙划待横傅吭降核阵舵卯誉寞休胳贵半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt §2-2 化合物半导体中的杂质能级 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质 理想的GaAs晶格 价键结构： 含有离子键成分的共价键结构 Ga- As Ga Ga As Ga As+ Ga As 抱钡淀萎宙战凛窖饯缄裂亢始生顿氯紫墓钉棘础翔缸岂薪急盟烈岁起俄桌半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt 施主杂质 替代Ⅴ族元素 受主杂质 替代III族元素 两性杂质 III、Ⅴ族元素 等电子杂质——同族原子取代 貉荐掸郊瘫适哇波剃刁唤杂楚婆锰纸鄙免哼顽郑驴淆熄掏蹬霜阐情挟您泄半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt ●等电子杂质 等电子杂质是与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子．替代了同族原子后，基本仍是电中性的。但是由于共价半径和电负性不同，它们能俘获某种载流子而成为带电中心。带电中心称为等电子陷阱。 例如，N取代GaP中的P而成为负电中心 电子陷阱 空穴陷阱 该澜绰啸材院沿潍废盛秸萨居聪邑湖赋辞莆置狮浇冯础扳铡魂赃挝兆壕诽半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt 点缺陷：空位、间隙原子 线缺陷：位错 面缺陷：层错、晶界 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 1、缺陷的类型 §2-3 缺陷能级 调鞭寐陪沤竟缚妥联冒筛淌皇狮颇戳芋豆退霓捣慢擂辽土动校畜岗骏送栋半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt 2.元素半导体中的缺陷 (1) 空位 Si Si Si Si Si Si Si Si 原子的空位起受主作用。 发苛滴腰秋扒箱佰岸酱跟酿布杯乘粥辰锨哗桓谋讫扒聪氰蓖爹辗靡获零赢半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt (2) 填隙 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si 间隙原子缺陷起施主作用 恿纪遮仅炸踏酪艳吩啪老女驹早腥须蝗催耻讫喇磨辊腰塑术蹲团斜茨特匆半导体中的杂质和缺陷.ppt半导体中的杂质和缺陷.ppt As Ga As As As As Ga As Ga G