内存组织原理与接口.ppt

部分译码 A19～ A15 A14～ A12 A11～A0 一个可用地址 1 2 3 4 ××10× ××10× ××10× ××10× 000 001 010 011 全0～全1 全0～全1 全0～全1 全0～全1 20000H～20FFFH 21000H～21FFFH 22000H～22FFFH 23000H～23FFFH 32 线选译码 [3] 线选译码 只用少数几根高位地址线进行芯片的译码，且每根负责选中一个芯片（组） 虽构成简单，但地址空间严重浪费 必然会出现地址重复 一个存储地址会对应多个存储单元 多个存储单元共用的存储地址不应使用 33 线选译码示例 A19～ A15 A14 A13 A12～A0 一个可用地址 1 2 ××××× ××××× 1 0 0 1 全0～全1 全0～全1 04000H～05FFFH 02000H～03FFFH 34 7.4.4 DRAM连接 [1] 行地址和列地址的传送 [2] RAS和CAS信号的产生 [3]刷新控制 35 7.5 PC系列微机的内存组织 当CPU的数据宽度大于8位时，要求内存系统能够实现单字节和多字节的操作，因此，在PC系列微机中使用分体结构来组织内存系统 36 7.5.1 8086微机的内存分体 8086CPU的16位微机系统，要求实现对内存的一次访存操作既可以处理一个16位字，也可以只处理一个字节 8086系统中1M字节的内存地址空间实际上分成两个512K字节的存储体——“偶地址存储体”和“奇地址存储体” 偶地址存储体连接8086的低8位数据总线D7—D0 奇地址存储体则连接8086的高8位数据总线D15—D8 地址总线的Al9—A1与两个存储体中的地址线Al8—A0连接 最低位地址线A0和8086的“总线高允许” (BHE*)信号用来选择存储体 37 8086系统内存的分体结构 38 7.5.1 80386/486微机内存分体 D23-D16 D15-D8 D7-D0 译码器 2号体 0号体 D31-D24 3 2 1 0 DB AB A1 A0 3号体 1号体 　32位CPU的内存分体 39 7.5.2 内存空间分配 常规内存 地址从00000H—9FFFFH的640KB的RAM区，又称为“基本内存”、传统内存”、“实存”等 用来存放操作系统的核心程序、系统工作参数和一些应用程序，其最底端的00000H—003FFH为中断向量表 保留内存 A0000H—BFFFFH为128KB的视频缓冲区 C0000H—DFFFFH为128KB的ROM扩充区，用于视频图像ROM、扩充卡缓存和存放EMS页面帧等 E0000H—EFFFFH为64KB的保留区 F0000H—FFFFFH为64KB的系统ROM区，存放开机引导程序、诊断程序和系统BIOS 40 内存空间分配图 41 第七章 内存组成、原理与接口 1.微机存储系统概述 2.半导体结构与原理 3.典型半导体存储器芯片 4.内存组成及其与系统总线的连接 5.PC系列微机的内存组织 7.1 微机存储系统概述 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 CPU CACHE 主存（内存） 辅存（外存） 2 7.1.1 存储器的分类 按用途分类 内部存储器（内存、主存） 外部存储器（外存、辅存） 按存储介质分类 半导体集成电路存储器 磁存储器 光存储器 3 7.1.2 半导体存储器的分类与特点 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 4 7.1.2 半导体存储器的分类与特点 半导体 存储器 只读存储器 （ROM） 随机存取存储器 （RAM） 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 非易失RAM（NVRAM） 掩膜式ROM 一次性可编程ROM（PROM） 紫外线擦除可编程ROM（EPROM） 电擦除可编程ROM（EEPROM） 5 读写存储器RAM 组成单元 速度 集成度 应用 SRAM 触发器 快 低 小容量系统 DRAM 极间电容 慢 高 大容量系统 NVRAM 带微型电池 慢 低 小容量非易失 6 只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 返回本章目录 7 7.1.3 存储器的