薄膜物理CH5化学气相沉积.ppt

化学气相沉积——LPCVD ★ 低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD原理 早期CVD技术易开管系统为主，即Atmosphere Pressure CVD (APCVD)。 近年来，CVD技术令人注目的新发展是低压CVD技术，即Low Pressure CVD（LPCVD）。 LPCVD原理于APCVD基本相同，主要差别是： 低压下气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。 化学气相沉积——LPCVD 化学气相沉积——LPCVD LPCVD优点 （1）低气压下气态分子的平均自由程增大，反应装置内可以快速达到浓度均一，消除了由气相浓度梯度带来的薄膜不均匀性。 （2）薄膜质量高：薄膜台阶覆盖良好；结构完整性好；针孔较少。 （3）沉积过程主要由表面反应速率控制，对温度变化极为敏感，所以，LPCVD技术主要控制温度变量。LPCVD工艺重复性优于APCVD。 （4）卧式LPCVD装片密度高，生产成本低。 化学气相沉积——LPCVD LPCVD在微电子技术中的应用 广泛用于沉积掺杂或不掺杂的氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅化物等薄膜，以及钨、钼、钽、钛等难熔金属薄膜。 * Ch.5 化学气相沉积 本章主要内容 ★ 化学气相沉积的基本原理 ★ 化学气相沉积的特点 ★ CVD方法简介 ★ 低压化学气相沉积（LPCVD） ★ 等离子体化学气相沉积 ★ 其他CVD方法 化学气相沉积——基本原理 ★ 化学气相沉积的基本原理 化学气相沉积的定义 化学气相沉积是利用气态物质通过化学反应在基片表面形成固态薄膜的一种成膜技术。 化学气相沉积（CVD） ——Chemical Vapor Deposition CVD反应是指反应物为气体而生成物之一为固体的化学反应。 CVD完全不同于物理气相沉积（PVD） 化学气相沉积——基本原理 CVD和PVD 化学气相沉积——基本原理 CVD法实际上很早就有应用，用于材料精制、装饰涂层、耐氧化涂层、耐腐蚀涂层等。在电子学方面PVD法用于制作半导体电极等。 CVD法一开始用于硅、锗精制上，随后用于适合外延生长法制作的材料上。 表面保护膜一开始只限于氧化膜、氮化膜等，之后添加了由Ⅲ、Ⅴ族元素构成的新的氧化膜，最近还开发了金属膜、硅化物膜等。 以上这些薄膜的CVD制备法为人们所注意。CVD法制各的多晶硅膜在器件上得到广泛应用，这是CVD法最有效的应用场所。 化学气相沉积——基本原理 CVD的化学反应热力学 按热力学原理，化学反应的自由能变化 可以用反应物和生成物的标准自由能 来计算，即 CVD热力学分析的主要目的是预测某些特定条件下某些CVD反应的可行性（化学反应的方向和限度）。 在温度、压强和反应物浓度给定的条件下，热力学计算能从理论上给出沉积薄膜的量和所有气体的分压，但是不能给出沉积速率。 热力学分析可作为确定CVD工艺参数的参考。 化学气相沉积——基本原理 与反应系统的化学平衡常数 有关 设气相反应 ， 则 例：热分解反应 化学气相沉积——基本原理 反应方向判据： 可以确定反应温度。 化学气相沉积——基本原理 平衡常数 的意义： 计算理论转化率 计算总压强、配料比对反应的影响 通过平衡常数可以确定系统的热力学平衡问题。 化学气相沉积——基本原理 CVD的（化学反应）动力学 反应动力学是一个把反应热力学预言变为现实，使反应实际进行的问题；它是研究化学反应的速度和各种因素对其影响的科学。 CVD反应动力学分析的基本任务是：通过实验研究薄膜的生长速率，确定过程速率的控制机制，以便进一步调整工艺参数，获得高质量、厚度均匀的薄膜。 反应速率 是指在反应系统的单位体积中，物质（反应物或产物）随时间的变化率。 化学气相沉积——基本原理 Van’t Hoff规则：反应温度每升高10℃，反应速率大约增加2-4倍。这是一个近似的经验规则。 Arrhenius方程