7.1 电荷耦合器件 基本名词: 电荷耦合的原理 电注入:当给输入栅施加适当的电压,在其下面半导体表面形成一个耗尽层。如果这时在紧靠输入栅的第一个转移栅上施以更高的电压,则在它下面便形成一个更深的耗尽层。这个耗尽层就相当于一个“通道”,受输入信号调制的电荷包就会从输入二极管经过“通道”流人第一个转移栅下的势阱中,完成输入过程。也可将信号加在栅上,通过信号调制控制栅下通道进行注入。 7.2 电荷耦合器件的分类 工作原理 面阵CCD摄像器件 (小结) 将式(8-8)代入式(8-10),则 光电流信号的存储是在第(2)步中完成的。输出信号是在第(3)步再充电过程中取出的。若 重复(2)、(3)两步,就能不断地从负载 上获得光电输出信号,从而使列阵中的 光电二极管能连续地工作。 与连续工作方式相比,在电荷存储工作方式下负载电阻上的输出光电流为 式中,τ=RLCd为电路的时间常数。 定义增益 可见,电荷存储工作方式下的输出信号 比连续工作方式下的信号大得多。 在实际的SSPD器件中,一般由MOS场效应晶体管(FET)控制光电二极管的电荷积分及再充电过程。如图所示,在场效应管T的栅极上加一控制信号e,当e为负电平时,管子T导 通,起到开关S闭合的 作用;当e为“0”电 平时,T截止,相当于 开关S断开。 暂存区 场正程期间: 水平读出 寄存器 行逆程期间 行正
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