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半导体芯片生产企业 从书本到实践问题解析 半导体芯片生产因生产设备、工艺方法的不同使得要将理论上的设计能在生产上完全实现须将各工艺过程中理想条件的可实现性、工装夹具及操作所造成的差异认识清楚，对生产过程中的细节加以控制和必要的修正，才能建立稳定的生产线，获得高质量的产品。本文就硅器件生产中不同的工序常见的问题作一些肤浅的分析。 扩散 教科书上通常给出的扩散要求有Xj、R□、SiO2厚度等。为实现这些指标，应给定扩散温度、时间和气体流量等工艺参数。 为获得工艺条件的重复性和避免片子翘曲，通常在较低的温度下进出片。设定升降温速率，恒温时间能使片子在规定的温度曲线进行扩散。由于各台扩散炉的加热功率、散热条件不是完美匹配，会造成升降温偏离设定曲线。散热过快、加热功率相对不足的，升温速率将偏慢；保温性能好的，降温速率将偏慢，出现当前温度超过设定温度，超温值达到报警温差时就会报警，必须手动消除报警。这些情况都能造成产品一致性变劣。有些设备的控制程序里支持当升降温速率偏离设定曲线时可给予一段等待时间，在给定的等待时间内，温度到了设定值，程序立即继续往下运行，等待时间走完了，不管温度是否到设定值，程序自动继续往下运行。所以设置合理的等待时间，可以弥补温度偏离。 为获得一定厚度的SiO2，扩散炉内被通入水汽。多数扩散系统是采用H2和O2合成获得水汽。在H2气进炉之前的一段时间炉内的状态对扩散浓度的影