20 第五章 理想JFET的I-V特性.ppt

* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices JFET特性分析 §5.2 1、JFET的静态特性 2、小信号参数与等效电路 3、JFET的截止频率 4、沟道夹断后的JFET性能 Outline 一 JFET的静态特性 低电压时，漏极电流与电压成正比。 原点附近，曲线斜率是栅压的函数。 夹断曲线 JFET的I-V特性 ＋ 多项式展开 线性区的电流-电压方程： 1、线性区 上式反映了：1、漏极电流对漏极电压的线性依赖关系； 2、栅压对I-V曲线斜率的影响。 G0为没有任何耗尽层时的沟道电导 2、饱和区 在夹断点，漏极和栅极上的偏置电压的大小满足条件： ＋ 漏极电流和栅压的函数关系，反映了栅压对漏极电流的控制作用，称为JFET的转移特性。 JFET的转移特性曲线 IDSS栅极电压为零时的漏极饱和电流 即使y方向为任意非均匀的杂质分布，所有JFET的转移特性都落在两条曲线之间。在放大应用当中，JFET通常工作在饱和区，并且在已知栅电压信号时，可利用转移特性求得输出的漏极电流。 实验发现： 二 小信号参数与等效电路 1、线性区漏极导纳 漏极导纳与外加栅电压的关系。这种特性使得JFET适用于作电压控制的可变电阻 2、线性区跨导 3、饱和区跨导 线性