第七章光刻工艺B试卷资料.pptVIP

* 光刻工艺 ■ ? 概述 ■ ? 掩膜版 ■ ? 光刻机 ■ 光刻胶 ■ ? 典型的光刻工艺流程 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第7、8章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 四、光刻胶 由光敏化合物（PAC)、基体树脂和有机溶剂 等混合而成的胶状液体。都是碳基有机化合物 (1)当受到特定波长光线的作用后 ，光刻胶会发生化学反应，使 光刻胶在某些特定溶液（显影 液）中的溶解特性发生改变。 (2) 正性胶和负性胶。 a. 曝光前对显影液不可溶 而曝光后变成可溶的。 能得到与掩膜版遮光图 案相同的图形。 b. 负胶反之。 1、光刻胶的组成： 2、正性光刻胶 ■ 特点：正胶中的长链聚合物曝光后分解而变得可溶。 ■ 缺点：粘附性和耐腐蚀性较差，成本高。 ■ 优点：分辨率高，边缘整齐，陡直度好； 感光机理：紫外照射后分解放出氮气，同时分子结构重 排，产生环的收缩，形成五环烯酮化合物，经水解生成 羧酸衍生物，在碱性水溶液中生成可溶性羧酸盐而溶 解，从而显出图形。 1） 常用正胶： a. 邻迭氮萘醌 ( PAC ) DQ Wolff重组 五环烯酮化合物 羧酸衍生物 羧酸盐 b. g line和i line: DQN正胶：酚醛树脂(N), 重氮萘醌(DQ)。 偏甲氧酚醛树脂是水溶性的，能溶于碱溶液和