第五章晶圆制备试卷资料.pptVIP

第五章 晶圆制备 5.1 概述 在这一章里，主要介绍沙子转变成晶体，以及晶圆和用于芯片制造级的抛光片的生产步骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的晶圆，最早使用的是1英寸，而现在300mm直径的晶圆已经投入生产线了。因为晶圆直径越大，单个芯片的生产成本就越低。然而，直径越大，晶体结构上和电学性能的一致性就越难以保证，这正是对晶圆生产的一个挑战。 习题 1.定义：单晶、多晶、籽晶、晶体定向、晶体生长、半导体级硅、晶体缺陷 2.列举并描述三种点缺陷；影响点缺陷的因素有哪些？ 3.位错的种类及其产生的原因 4.CZ法直拉工艺中两种主要的杂质是什么，如何引入的？ 5.比较CZ法和FZ法 6.硅中含氧的优缺点？ 7.描述4种晶圆定位边的图；在200mm及以上晶圆中用什么代替定位边？ 习题 1.得到半导体级硅的三个步骤 2.双极和MOS器件分别用什么晶向的晶圆制 作的 3.如果籽晶是111晶向，拉出的晶体是什么晶向？ 4.简述CZ法优缺点。 5.简述FZ方法的优缺点 在硅器件工艺中，另一种常见的吸杂方法是利用晶片体内的氧沉积。点缺陷和残余杂质（如重金属）会被俘获和限制在沉积处，从而降低它们在有源器件附近区域的浓度，这种处理利用了晶体内固有的氧，称为本征吸杂。 3.6.4重金属杂质 对半导体影响最大的一类杂质，包括Au、Cu、Fe