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威尔逊电流镜 CHAP03-2 CMOS放大器 ⒈模拟电路设计的八边形法则 ⒉ MOS晶体管本征增益 　　本征增益(Intrinsic Gain) 单个器件所能达到的最大电压增益。 ⒊MOS管输出特性曲线 ⒋电阻负载共源放大器 ⒌CMOS反相放大器 电阻负载的缺点： 在CMOS工艺中难以控制精确的阻值；由于电阻既影响直流工作点，又影响交流增益，所以无法同时满足高增益和大输出信号幅度范围； 电阻的尺寸面积远大于MOS管面积； ⒌CMOS反相放大器 采用二极管连接的NMOS负载的共源级 采用二极管连接的PMOS负载的共源级 ⒍有源PMOS负载反相器 ⒍有源PMOS负载反相器 大信号分析： ⒍有源PMOS负载反相器 小信号分析： ⒍有源PMOS负载反相器 例：设Ｍ１和Ｍ２的电流为５０uＡ 求主要指标。 * * CHAP03-1 CMOS子电路 ⒈运算放大器模拟电路分层次图例 ⒉KCL基尔霍夫电流定律 KCL的陈述：对于任一集总电路中的任一节点，在任一时刻，流出（或流进）该节点的所有支路电流的代数和为零。 注：如果规定参考方向向着节点的电流取正号，则背着节点的就取负号。 ⒊MOS二极管 当MOS管的栅极和漏极接在一起，I-V特性类似于一个PN结二极管，因此命名为MOS二极管。 MOS二极管被用作电流镜的一个元件和电平转换。 ⒋有源电阻 ⒌电流漏和电流源 方法一：增大输出电阻 方法二：减小VMIN 增加管子输出电阻的技术 增加管子输出电阻的技术 例：求简单电流漏电阻的小信号电阻和共源共栅电流漏的小信号电阻。 标准共源共栅电流漏 高摆幅共源共栅电流漏 例：设计一个给定VMIN的自偏置高摆幅共源共栅电流漏 ⒍电流镜 ⒍电流镜 例：计算电流镜Io 例：计算各管的尺寸 威尔逊电流镜 *