chap2-4拉普拉斯方程分离变量法－柱形边值问题-1.pptVIP

* 或者 2）在r = 0时，电势为有限值。因此 电势可写成 * 3）在劈尖 面上，电势与 r无关； 或者 * 于是 ν 须满足 作为恒等式，则要求 * 即 ν 的可能值为： 这样可以将电势表达式写成 * A：在尖角附近的电场分布 近似：由于 r 很小，在求和序列部分，可以只保留第一项。即 其中 * 在尖角附近的电场分量 * 如果 α 很小，则， 在尖端附近存在很强的电场，导致尖端放电现象。 尖角附近的电场强度: * B. 在尖角附近劈尖两面上的电荷面密度： （记得：n为导体的面法向的单位矢量） * 无限长介质柱模型的实例：纳米线 * 有些材料的介电常数相对较高。 对于这类材料的圆柱形介质棒如果置于电场中，则 * * 介质柱内电场分布情况： * 介质柱内电场分布情况 思考 光致发光（Photoluminescence, 简称PL） 是指物质吸收光子（或电磁波）后重新辐射出光子（或电磁波）的过程。 从量子力学理论上，这一过程可以描述为物质吸收光子跃迁到较高能级的激发态后返回低能态，同时放出光子的过程。光致发光是多种形式的荧光（Fluorescence）中的一种。 The most familiar such effect is fluorescence, which is also typically a fast process, but in which some of the original energy is dissipated so that the emitted light photons are of lower energy than those absorbed. * * Fluorescent minerals emit visible light when exposed to ultraviolet light /wiki/Fluorescence * see, Science, 293 (2001) 1455 * 激发光子能量： 激发光强度： 荧光强度： 激发光 * 平行激发 垂直激发 see, Science, 293 (2001) 1455 当激发光偏振方向沿着纳米线轴向时的荧光强度远大于激光偏振方向与纳米线轴线相垂直时的荧光强度 偏振平行于纳米线轴线时的荧光强度与偏振垂直于纳米线轴线时的荧光强度之比值几乎不依赖于激发光的波长（能量）。 * Enhanced Raman Scattering from Individual Semiconductor Nanocones and Nanowires We report strong enhancement (103) of the spontaneous Raman scattering from individual silicon nanowires and nanocones as compared with bulk Si. The variation of the Raman enhancement with d, laser, and polarization is shown to be in good agreement with model calculations of scattering from an infinite dielectric cylinder. * L. Cao et al., PRL 96, 157402 (2006) Optical anisotropy of semiconductor nanowires beyond the electrostatic limit * A pronounced dependence of the polarization anisotropy on the diameter-wavelength ratio is observed; optical anisotropies can be varied between its maximum predicted by the electrostatic limit to zero. J. Zhang et al., PRB 82, 155301 2010 * 作业（第五周3/4节） 第二章：习题5、7、8 * 二、柱形边值问题 * 位置坐标用 表示 对于柱形边值问题，一般采用柱坐标系最为方便； * 求解区域无自由电荷，电荷只分布在界面上； 在求解的区域电势满足方程拉普拉斯： * 柱形边界问题的特点：电势与 z 无关 * 在柱坐标系中，与 z 无关的电势所满足的拉普拉斯方程的特解有两类： 方程解的一般形式： 其中 ν 为大于零的非整数或者整数。 * A.如果所讨论的