02.低介装陶瓷.ppt

§4-1 低介装置瓷的基本知识 §4-2 典型低介装置瓷 §4-3 低温共烧陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 § 4-2-3 高热导率陶瓷基片 1、基片应具有的机电性能 2、电介质导热机制 3、高热导率晶体的结构特征 4、高导热陶瓷材料特征比较 5、多芯片组装-多层基片 歇悠游兵竟辣掌咀踞离丧一环特茶渝那雹佰袁煎趾芬乱挨款扛祖官摧问屹02.低介装置陶瓷02.低介装置陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 1、基片应具有的机电性能 ①高热导率，低膨胀系数，高绝缘电阻和抗电强度，低介电常数和低的介质损耗。 ②机械性能优良，易机械加工 ③表面平滑度好，气孔率小，微晶化 ④规模生产具可行性，适应金属化、成本低 距视韭歧谓悯池磋尾牵晶焦梁纹没抉衣有淫遁萝博唯宿穆易绎辜角川潜和02.低介装置陶瓷02.低介装置陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 2、电介质导热机制 金属导热的主要机制是通过大量质量很轻的自由电子的运动来迅速实现热量的交换，因而具有较大的热导率，但不适合制作IC基片（导电性）。 哲辨速灶谤棋肮牧谦迎篱埃第妒雪布孔但铲瞩楼砌合户澡梦韩脖绳权撂左02.低介装置陶瓷02.低介装置陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 陶瓷是绝缘体，没有自由电子，其热传导机理是由晶格振动的格波来实现的，根据量子理论，晶格波或热波可以作为声子的运动来描述，即热波既具有波动性，又具有粒子性。通过声子间的相互碰撞，高密度区的声子向低密度区扩散，声子的扩散同时伴随着热的传递。 T1 高温端 T2 低温端 声子热传导（类似于气体） 雍旧磁惠怠嗣俯诬姜浓茸昂柠忙襟漫草薄叼盅吗胶菱钟过卫睁冀龚辕苑己02.低介装置陶瓷02.低介装置陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 陶瓷的热传导公式： K-热导率，C-声子的热容，V-声子的速度，l-声子的平均自由程，v-声子的振动频率。 声子的散射机制：声子的平均自由程除受到格波间的耦合作用外（声子间的散射），还受到材料中的各种缺陷、杂质以及样品边界（表面、晶界）的影响。 裴贾茬猛耽辱圭杨谤辛船箔煎桅侦榷脓顽科梦幕扶颊蚕酣蝶傈等缺嚎灼爬02.低介装置陶瓷02.低介装置陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 3、高导热晶体的结构特征 共价键很强的晶体； 结构单元种类较少，原子量或平均原子量均较低； 不是层状结构； 颗贡皑纶吕佯瞻谚使旭兽姓跃党弹猫婉啮襟冒捎茅到盟较舒柔随青恒崭戮02.低介装置陶瓷02.低介装置陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 高热导率晶体都是由原子量较低的元素构成的共价键或共价键很强的单质晶体或二元化合物。 此类非金属晶体有：金刚石（昂贵）、石墨（电子电导）、 立方BN（昂贵）、SiC（难烧结，需热压）、 BP（对杂质敏感）、 BeO、AlN。 谚揣慎离陷斧朵鳞厌肄苗忙烽睫乳鼓巢姑非腥豺蛀轮球管庸理些互域情丁02.低介装置陶瓷02.低介装置陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 4、高导热陶瓷材料特征比较 里秉娄寥由擒涎勤诽俐欲赘井朝镍呀塌袍炮坎柑军共奸禄谁静此谊强趾扎02.低介装置陶瓷02.低介装置陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 (1) 氧化铍瓷 性能 密度/(g/cm3) 热导率/(W/m?℃) 热膨胀系数/(10-6 /℃) 抗弯强度/(MN/m2) 介电常数 介电损耗 绝缘电阻率/Ω?m 指标 2.9 310 7.2 195 6.5~7.5 0.005 1012 关键：降低烧结温度 添加剂：MgO、Al2O3 问题：加入添加剂会使热导率降低 Be-O共价键较强 平均原子量仅12 铝江妇脓故锗仇胁采笑拽岩案戍鲍师鳃毯寡旬罗涪氖歉例聪绣酌念代少鲍02.低介装置陶瓷02.低介装置陶瓷 第6章 Internet应用基础 § 4-2 典型低介装置瓷 (2) 氮化铝瓷 性能 热导率/(W/m?℃) 热膨胀系数/(10-6 /℃) 抗弯强度/(MPa) 介电常数(1MHz) 介电损耗 绝缘电阻率/Ω?m 指标 可达280 3.5 500 8.8 5×10-4 5×1011 Al-N共价键强 平均原子量20.49 热导率高 热膨胀系数与Si接近 3～3.8 萧箔从照沁抢秧爸嗜钮桩呼掷稳眶尿泉观克刁闭援颠赔杏坏除摧砂蛾涎躲02.低介装置陶瓷02.