半导体器件第六章..docVIP

▲理想MOS二极管的工作原理。（说明栅极电压分别为负，零及其正偏电压）。 答：当一理想MOS二极管偏压为负时，半导体表面可能会出现三种情况，P型半导体而言，当一负电压施加于金属平板上时，界面将产生超量的空穴，接近半导体表面的能带向上弯曲，如图，对理想二极管而言，不论外加电压为多少，器件内部均无电流流动，所以半导体内部的费米能级将维持为一个常数，在半导体内部的载流子密度与能级差成指数关系，即____________________。 半导体表面向上弯曲的能带使得的能级差变大，进而提升空穴的浓度，而在氧化层与半导体的界面处产生空穴堆积，称为积累现象。其相对应的电荷分布如图所示，当外加更大的正电压时，能带向下弯曲的更严重，使得表面的本征能级越过费米能级，如图，正栅极电压将在界面处吸引更多的负载流子（电子），半导体中电子的浓度与能差成指数关系，即_________________________________。 ▲MOS二极管出现反型标志，强反型标志各是什么？出现强反型时，导电沟道厚度特点。 答：①当外加一小量正电压于理想MOS二极管时，靠近半导体表面的能带将向下弯曲，使形成多数载流子（空穴）耗尽，称为耗尽现象。在半导体中，单位面积的空间电荷的值为，其中W为表面耗尽区的宽度。②图略 ③随着正偏电压的增大，Ef-Ei0，在半导体表面上的电子浓度将 于，而空穴浓度将小于，即表面载流子呈