半导体物理器件第三章..docVIP

第三章 3–1．（a）画出晶体管在平衡时以及在正向有源工作模式下的能带图。 （b）画出晶体管的示意图并表示出所有的电流成分，写出各极电流表达式。 （c）画出发射区、基区、集电区少子分布示意图。 3–2．考虑一个硅晶体管，具有这样一些参数：，在均匀掺杂基区。若集电结被反向偏置，，计算在发射结基区一边的过量电子密度、发射结电压以及基区输运因子。 3–3． 在3–2的晶体管中，假设发射极的掺杂浓度为，，，发射结空间电荷区中，。计算在时的发射效率和。 3–4． 一晶体管具有以下规格：发射区面积=1平方密耳，基区面积=10平方密耳，发射区宽度= ，基区宽度= ，发射区薄层电阻为，基区薄层电阻为，集电极电阻率=，发射区空穴寿命=，基区电子寿命=100，假设发射极的复合电流为常数并等于。还假设为突变结和均匀掺杂。计算、以及时的。用半对数坐标画出曲线。中间电流范围的控制因素是什么？ 3-5．（a）根据式（3-19）或式（3-20），证明对于任意的值公式（3-41）和（3-43）变成 （b）证明，若1,（a）中的表达式约化为（3－41）和（3－43）。 3–6．证明在有源区晶体管发射极电流–电压特性可用下式表示 +，其中为集电极开路时发射结反向饱和电流。提示：首先由EM方程导出。 3–7．（a）忽略空间电荷区的复合电流，证明晶体管共发射极输出特性的精确表达式为 -V+ 提示：首先求出