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第19章 固体物理简介 超导 激光 磁悬浮现象 差 高 高 硬度 熔点 导电性 好 无 金属键 金属晶体 低 无 范德瓦耳斯键 分子晶体 很低 有 共价键 共价晶体 弱 无 离子键 离子晶体 性能 方向性 饱和性 结合力 类型 §19.1 晶体结构和晶体分类 一. 晶体分类 二. 晶体结构 面心立方结构 立方结构 在晶体中,原子或离子周期性重复排列,形成晶格,或称为空间点阵。 金刚石 体心立方 一维晶体点阵形成的势能函数曲线 EP r + + + + + §19.2 固体的能带 一. 周期性势场和电子的共有化 r 以钠为例,分析价电子在 Na+ 的电场中的势能特点。 电子能量 E 低,穿过势垒概率小,共有化程度低; 电子能量 E 高,穿过势垒概率大,共有化程度高。 E + d E 电子在晶体中作共有化运动,处在三维周期性势场 中 结论: 二. 能带和能带中电子的分布 遵守 泡利不相容原理 最多容纳电子数 2×N 2×N 2×N 6×N 6×N 10×N 能量最小原理 一般情况下,价带是被电子所填充的能量最高的能带。 说明 满带 空带 导带 —— 未填满的能带及空带(一般与价带相邻)。 未填满的价带 例 能带对导电性的影响 不参与导电 参与导电 参与导电 填满的价带 价带 §19.3 绝缘体 导体 半导体 3~6eV 0.1~1.5eV 绝缘体 半导体 价带 锂 镁 铜 铝 银 导体(三种情况) 提高 空穴 三价元素(硼或镓) p 型 n 型 提高 电子 五价元素(砷或磷) 杂质 半导体 差 电子 空穴 无 本征半导体 导电性能 主要载流子 掺有杂质 类型 一. 半导体类型 §19.4 杂质半导体 pn结 杂质能级 1. n 型半导体 价带 10-2 eV 施主能级 二. 杂质半导体 杂质能级 2. P 型半导体 价带 受主能级 10-2 eV 空穴 三. pn 结 pn 结中的电场和电势差 p区能带升高,n区能带降低,形成势垒 1. pn 结中的电场和势垒 pn结中电场减弱,势垒降低,电子、空穴扩散容易,形成正向宏观电流,并随电压变化。 pn结中电场增强,势垒增高,电子、空穴扩散困难,形成很小的反向电流。 2. pn结中电流和外加电压的关系 正向电压 反向电压 E E 10 20 30 10 20 0. 4 0. 8 20 30 半导体光电检测器 pn 结单向导电性 pn 结伏安特性曲线 U / V I / mA 正向 反向 击穿电压 电流不衰减 一. 零电阻 临界温度:正常态转变为超导态的温度。 §19.5 超导电性简介 降温转变为超导体后去掉外加磁场 非超导态 二. 迈斯纳效应 导体(零电阻) 内部磁场为零 零电阻 超导体 降温变为超导态 磁场中加入超导体 外磁场取消, 内磁场分布 迈斯纳效应:超导体内部磁场恒为零,与其历史无关。 永久磁环 钇钡铜氧超导体(浸在液氮中) 磁悬浮现象 三. 磁场引起超导电性的破坏 临界磁场: 某一温度下,能够保持超导态的最大的外加磁场。可近似表示为 Tc O T (K) Hc (T) 2 4 6 8 6 4 2 Pb 超导态 正常态 1. 第一类超导体 正常态 - M H O Hc 超导态 Hc 与温度的关系曲线 磁化曲线 混合态 正常态 Hc1 Hc2 H O 超导态 2. 第二类超导体 T Hc1 H Hc2 混合态 — 磁力线向磁 体渗透, 把 它分割成许 多处于正常态和超导态 的小区域。 两个临界磁场 Hc1 Hc2 H Hc1 超导态,体内无磁场。 H Hc2 正常态 具有不完全的抗磁性,完全的超导电性。 磁化曲线 1957年,巴丁、库珀等确立BCS理论。 四. 超导电性的理论解释初步 超导体中大量库珀电子对组成的电子气体有超流动性,库珀电子对定向运动形成的电流将成为永久电流。 §19.6 约瑟夫森效应 约瑟夫森效应:库珀电子对越过绝缘层(形成超导电流) 的隧道效应。 导体 绝 缘 层 导体 超导体 绝 缘 层 超导体 隧道结 约瑟夫森结 约10 -9 m 交流约瑟夫森效应 直流约瑟夫森效应 一. 直流约瑟夫森效应 超导体 绝 缘 层 超导体 若 I IC , 结中通过超导电流; 若 I IC , 结的两端出现电压。 直流电 I V I VC IC 临界电流 —— 直流约瑟夫森效应 临界电流 IC 对于外加磁场十分敏感,并随外加磁场呈周期性变化。 存
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