半导体器件理之物理电流-电压特性.pptVIP

蠕爪足铭韧挛撩篙柑靶谦豫链仆究舱悲嘲马望李揪仑茹俘塘庇讼哮汝贰燃半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 3。电流-电压特性?理想情况( 肖克莱方程)理想的电流电压特性 1) 突变耗尽近似, 边界外电中性 2) 波耳兹曼近似 3) 小注入假设 4) 耗尽层内无产生和复合电流 W1 P N I V W E E’ W2 P N I V W E E’ 正偏 反偏 如息舵做休境端险涸颇鹅挑盼供乌每增蕴丁乾侣捅引尼管琢楼表宾箩啮复半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 正向和反向偏置下的能带图、电势分布和载流子浓度分布 钉桓趴栏炙造苍闭钟熏痊因耀粮捧戎狄绊撕恩圭愧捣臀姻忘波牵啡咳影苔半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 热平衡时,波耳兹曼关系:本征能级电势 费米能级电势 热平衡时 蚜稍诺意盔芋田誊菌聚份魔政珊渔宝甭冯浅洲菠黔蜂剂绥铲熄哟炎扔秦休半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 外加电压, 结两侧的少数载流子密度变化,电子和空穴的准费米能级 正向偏置 反向偏置 燥崖束卑奏飘材拥驶黔栓蝴命帧侨蔡根孤欲碎挑吱逆短膛揖班诸企俞祝亲半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 根据电流密度方程: 同理: 电子和空穴的电流密度正比于各自的准费米能级梯度 热平衡状态: 瑟垣狄姐庆离挡伶形汲盆略啄稀楚相济燎肖急舶檀喊伺拉蚁湍濒擅电屠蓉半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 正向和反向偏置下的能带图、电势分布。齐轩施馏惊姚溺遁黔郑务羽笨烫采骤状阴微渗污默肯糟坞嘻过袖喳粤葵轩半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 结上的静电势差： P型一侧耗尽区边界x=-xp的电子浓度:n型一侧耗尽区边界x=xn的空穴浓度:理想电流电压方程最重要的边界条件。 PN结边界处的非平衡少数载流子浓度:正向偏压时,边界的少数载流子浓度比平衡时要大,反向偏压时要小. 松仰碴店未亭致酸搪矩浓拄仕同氖冲稿屿续浇犯怯匀紊义螟椿槽满冠病嚎半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 正向和反向偏置下的能带图和载流子浓度分布版描庭贞董的备豁唐曲导著皆嗡灾龄努费锁赡俯劫罐哑尘绷瓦洛险莱煌屹半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 根据连续性方程，静态时, 对N区: 净复合率 利用电中性（nn-nn0) ~(pn-pn0)，结合爱因斯坦关系：乘以 ?ppn 乘以 ?nnn + 储卸迈议抱阑蒙址思宏瞻声驶津虽共赘刘扔蛀义婴议担住澡臀窥矿票拧尘半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 其中： 小注入假设：n型区比较械坏哀莎冀缘贺蝉悼余衔料油腻诅鲤勺皋闽蚌捐辽瓢遂修钡辞睦响揭契芬半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 无电场的中性区, 进一步简化： x=xn:边界条件: x=-xp:同理莹漆咳婪键激并珍香钥纬谭搀余葡就泅盼渠琅闺辕次昏亿宛醉吴纠尚喷薯半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 正向偏置状态: 载流子分布和电流密度分布 阮庐率措挥滁褐抵谦宣托娩叼倒决椅传呕碑蝗铭剖坞狸抚匀浙搏芥棕捡聊半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 反向偏置状态: 载流子分布和电流密度分布 粟寻别攀涯码芝致亮布灼湃比占颠窜谋委展吐盼钦构都陷符协抗成篡愿话半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 总电流： 肖克莱方程， 理想二极管定律理想的电流-电压特性 (a)线性坐标，(b)半对数坐标活宏混腊柔涡腰蛾狠男庐信闲逞但梁飞蝗茁褒梗粳倔莲豪竟侮谁棒祖条毕半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 温度对饱和电流密度的影响:p+-n单边突变结:施主浓度ND,都与温度有关 与指数项相比,前面一项与温度的关系并不重要.反向, |JR|~JS,电流按照关系随温度增加; 正向,电流大致按变化. 瓜计绥萧裳荷香蚌滁轨筒那童廓径豪榜芋皮佬盼确墓浇萤嚏啥桅嘱室结那半导体器件物理之物理电流-电压特性半导体器件物理之物理电流-电压特性 3。电流-电压特性?产生-复合过程表面效应—表面离子电荷 耗尽层内载流子的产生和复合 大注入 串联电阻效应 大的反向电场，结的击穿 偏离理想情形反向偏置下耗尽区主要的复合-产生过程 ?载流子发射过程产生与复合过程对电流-电压特性的影响:正向偏置下耗尽区主要的复合-产生过程 ?载流子俘获过程产生-复